[發明專利]用于顯示靜態圖案的顯示裝置以及其制作方法與禮盒在審
| 申請號: | 201811049141.7 | 申請日: | 2018-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN110416259A | 公開(公告)日: | 2019-11-05 |
| 發明(設計)人: | 江佳玲;吳學憲;賴奕廷 | 申請(專利權)人: | 矽碁科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 王濤;任默聞 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 絕緣圖案層 第一電極 顯示裝置 發光層 透明 發光二極管 第二電極 圖案 禮盒 基板 圖案顯示模式 靜態圖案 圖案模式 電連接 可切換 制作 覆蓋 應用 | ||
本發明提供一種用以顯示第一圖案的顯示裝置以及其制作方法與應用其的禮盒。顯示裝置包括基板以及設置于基板上的發光二極管。發光二極管包括第一電極、透明絕緣圖案層、發光層以及第二電極。透明絕緣圖案層設置于第一電極上,其中透明絕緣圖案層具有一厚度,小于或等于100納米,且透明絕緣圖案層具有一第二圖案,與第一圖案互補。發光層覆蓋于透明絕緣圖案層與第一電極上,且發光層電連接第一電極。第二電極設置于發光層上。該顯示裝置可具有可切換圖案顯示模式與無圖案模式。
技術領域
本發明是關于一種用于顯示靜態圖案的顯示裝置以及其制作方法與禮盒,尤指一種可切換圖案顯示模式與無圖案模式的顯示裝置以及其制作方法與應用顯示裝置的禮盒。
背景技術
傳統顯示裝置為了依據需求顯示出圖案,因此包含有主動陣列電路以及多個像素,以通過主動陣列電路控制像素的顯示。然而,針對顯示特定圖案的需求而言,例如名片或展示解說牌,傳統顯示裝置雖然可顯示出特定圖案,以滿足此需求,但其成本過高,甚至遠超過產品原有的價格,故傳統顯示裝置并不會應用至這些需求中。目前針對顯示特定圖案的需求,一般僅以已印刷有圖案的紙張來滿足,雖然可顯示出所需的圖案,但使用者可直接看到圖案,也就是紙張并無法在不同的狀態進行切換,因此限制了此紙張的應用范圍,進而無法提供使用者有更廣泛的需求。
發明內容
本發明的目的之一在于提供一種用于顯示靜態圖案的顯示裝置、其制作方法與禮盒,以降低成本,并提升顯示裝置的應用范圍。
本發明的一實施例提供一種顯示裝置,用以顯示第一圖案。顯示裝置包括基板以及發光二極管。發光二極管設置于基板上,并包括第一電極、透明絕緣圖案層、發光層以及第二電極。透明絕緣圖案層設置于第一電極上,其中透明絕緣圖案層具有一厚度,小于或等于100納米,且透明絕緣圖案層具有一第二圖案,與第一圖案互補。發光層覆蓋于透明絕緣圖案層上,且發光層電連接第一電極。第二電極設置于發光層上。
本發明的另一實施例提供一種用以顯示出第一圖案的顯示裝置的制作方法。首先,提供一基板以及一第一電極,其中第一電極形成于基板上。之后,于第一電極上形成一透明絕緣圖案層,其中透明絕緣圖案層具有一厚度,小于或等于100納米,且透明絕緣圖案層具有一第二圖案,與第一圖案互補。接著,形成發光層覆蓋于透明絕緣圖案層與第一電極上,其中發光層電連接第一電極。然后,于發光層上形成一第二電極,以形成一發光二極管。
本發明的又一實施例提供一種禮盒,其包括一開口以及一顯示裝置。顯示裝置覆蓋開口,并用以顯示一第一圖案,且顯示裝置包括基板以及發光二極管。發光二極管設置于基板上,并包括第一電極、透明絕緣圖案層、發光層以及第二電極。透明絕緣圖案層設置于第一電極上,其中透明絕緣圖案層具有一厚度,小于或等于100納米,且透明絕緣圖案層具有一第二圖案,與第一圖案互補。發光層覆蓋于透明絕緣圖案層上,且發光層電連接第一電極。第二電極設置于發光層上。
于本發明的顯示裝置的制作方法中,通過原子層沉積工藝、濺鍍工藝或電子束蒸鍍工藝形成厚度小于或等于100納米的透明絕緣圖案層,可使透明絕緣圖案層達到絕緣的效果,因此顯示裝置可具有可切換圖案顯示模式與無圖案模式的功用。再者,通過將透明絕緣圖案層的厚度降低至小于或等于50納米,還可降低透明絕緣圖案層的可視度,以提升顯示裝置的透明度。
為讓本發明的上述和其他目的、特征和優點能更明顯易懂,下文特舉較佳實施例,并配合所附圖式,作詳細說明如下。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1至圖7繪示本發明第一實施例的顯示裝置的制作方法示意圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





