[發(fā)明專利]用于顯示靜態(tài)圖案的顯示裝置以及其制作方法與禮盒

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811049141.7
• 申請日: 2018-09-10
• 公開（公告）號: CN110416259A
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 江佳玲;吳學(xué)憲;賴奕廷
• 申請（專利權(quán)）人: 矽碁科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 王濤;任默聞

1.一種顯示裝置，其特征在于，用以顯示一第一圖案，且所述顯示裝置包括：

一基板；以及

一發(fā)光二極管，設(shè)置于所述基板上，且所述發(fā)光二極管包括：

一第一電極；

一透明絕緣圖案層，設(shè)置于所述第一電極上，其中所述透明絕緣圖案層具有一厚度，小于或等于100納米，且所述透明絕緣圖案層具有一第二圖案，與所述第一圖案互補(bǔ)；

一發(fā)光層，覆蓋于所述透明絕緣圖案層與所述第一電極上，且所述發(fā)光層電連接所述第一電極；以及

一第二電極，設(shè)置于發(fā)光層上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述透明絕緣圖案層包括至少一開口，且所述發(fā)光層通過所述開口與所述第一電極電連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，所述至少一開口具有所述第一圖案。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，所述發(fā)光二極管另包括一注入層，夾設(shè)于所述發(fā)光層與所述透明絕緣圖案層之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述透明絕緣圖案層的所述厚度小于或等于30納米。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述透明絕緣圖案層包括氧化鋁、氧化鋡、氧化硅、氧化鈦、鈦酸鍶、氧化鉭、氧化釓、氧化鋯、氧化鎵、氧化釩、氧化鈷、氧化鋅、摻雜鋁的氧化鋅、摻雜硼的氧化鋅、摻雜氫的氧化銦、氧化鎢、氧化鉬、氧化鈮、氧化鎳、氧化鎂、氧化釕或上述任兩者的結(jié)合。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，另包括一保護(hù)層，覆蓋于所述發(fā)光二極管。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述第一圖案包括文字描述、徽章圖案或商標(biāo)圖案。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置為一名片或一展示解說牌。

10.一種顯示裝置的制作方法，其特征在于，所述顯示裝置用以顯示出一第一圖案，且所述制作方法包括：

提供一基板以及一第一電極，其中所述第一電極形成于所述基板上；

于所述第一電極上形成一透明絕緣圖案層，其中所述透明絕緣圖案層具有一厚度，小于或等于100納米，且所述透明絕緣圖案層具有一第二圖案，與所述第一圖案互補(bǔ)；

形成一發(fā)光層覆蓋于所述透明絕緣圖案層與所述第一電極上，其中所述發(fā)光層電連接所述第一電極；以及

于所述發(fā)光層上形成一第二電極，以形成一發(fā)光二極管。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置的制作方法，其特征在于，形成所述透明絕緣圖案層包括：

于所述第一電極上形成一犧牲層；

對所述犧牲層進(jìn)行一圖案化工藝，以形成一犧牲圖案層，并曝露出所述第一電極，其中所述犧牲圖案層具有所述第一圖案；

于所述犧牲圖案層與曝露出的所述第一電極上形成一透明絕緣層；以及

移除所述犧牲圖案層與位于所述犧牲圖案層上的所述透明絕緣層，以形成所述透明絕緣圖案層。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置的制作方法，其特征在于，所述犧牲層包括光致抗蝕劑材料或膠布。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置的制作方法，其特征在于，圖案化所述犧牲層包括光刻工藝或激光刻蝕工藝。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置的制作方法，其特征在于，形成所述透明絕緣層包括原子層沉積工藝、濺鍍工藝或電子束蒸鍍工藝。