[發(fā)明專利]發(fā)光面板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811049071.5 | 申請日: | 2018-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN109494234A | 公開(公告)日: | 2019-03-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 仁義友次 | 申請(專利權(quán))人: | 東芝北斗電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 牛玉婷 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 絕緣膜 發(fā)光面板 導體層 透光性 圖案 發(fā)光元件 方式配置 對置 配置 表現(xiàn) | ||
本發(fā)明的實施方式涉及發(fā)光面板。提供一種能夠使用LED來表現(xiàn)多種圖案的發(fā)光面板。本實施方式的發(fā)光面板具備:具有透光性的第1絕緣膜;第2絕緣膜,與第1絕緣膜對置地配置,并具有透光性;導體層,形成于第1絕緣膜以及第2絕緣膜的至少一方;以及多個發(fā)光元件,以形成規(guī)定的圖案的方式配置于第1絕緣膜與第2絕緣膜之間,并連接于導體層。
本申請以日本專利申請2017-174029(申請日:2017年9月11日)為基礎(chǔ),基于該申請享受優(yōu)先的利益。本申請通過參照該申請而包含該申請的全部內(nèi)容。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實施方式涉及發(fā)光面板。
背景技術(shù)
近年來,以能源消耗量的削減作為目的的對策得以重視。出于這樣的背景,耗電較少的LED(Light Emitting Diode)作為新一代的光源得到關(guān)注。LED其小型且發(fā)熱量少,響應(yīng)性也優(yōu)秀。因此,廣泛利用于各種光學裝置。例如,近年來,提出一種模塊,該模塊將在具有可撓性以及透光性的基板上配置的LED作為光源。
LED與液晶等像素比較,難以密集地配置。另外,為了在具有透光性的基板上配置LED,布線的限制變大。因此,為了使用在具有透光性的基板上安裝的LED表現(xiàn)多種圖案而需要想辦法。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的課題在于,提供一種能夠使用LED來表現(xiàn)多種圖案的發(fā)光面板。
本實施方式的發(fā)光面板具備多個發(fā)光模塊,上述發(fā)光模塊具備:具有透光性的第1絕緣膜;第2絕緣膜,與第1絕緣膜對置地配置,并具有透光性;導體層,形成于第1絕緣膜以及第2絕緣膜的至少一方;以及多個發(fā)光元件,以形成規(guī)定的圖案的方式配置于第1絕緣膜與第2絕緣膜之間,并連接于導體層。
根據(jù)上述發(fā)光面板,能夠使用LED來表現(xiàn)多種圖案。
附圖說明
圖1是本實施方式的發(fā)光面板的俯視圖。
圖2是發(fā)光面板的展開立體圖。
圖3是發(fā)光模塊的俯視圖。
圖4是發(fā)光模塊的側(cè)視圖。
圖5是放大表示網(wǎng)格圖案的一部分的圖。
圖6是發(fā)光元件的立體圖。
圖7是發(fā)光模塊的俯視圖。
圖8是發(fā)光模塊的俯視圖。
圖9是用于說明發(fā)光面板的制造順序的圖。
圖10是用于說明發(fā)光面板的制造順序的圖。
圖11是用于說明發(fā)光面板的制造順序的圖。
圖12是用于說明發(fā)光面板的制造順序的圖。
圖13是用于說明發(fā)光面板的制造順序的圖。
圖14是用于說明發(fā)光面板的制造順序的圖。
圖15是變形例的發(fā)光面板的展開立體圖。
圖16是變形例的發(fā)光面板的俯視圖。
圖17是變形例的發(fā)光模塊的俯視圖。
圖18是變形例的發(fā)光面板的展開立體圖。
圖19是變形例的發(fā)光面板的俯視圖。
圖20是用于說明變形例的發(fā)光面板的圖。
圖21是用于說明發(fā)光面板的使用方式的圖。
具體實施方式
以下,使用附圖對本發(fā)明的一實施方式進行說明。在說明中,使用由相互正交的X軸、Y軸、Z軸構(gòu)成的XYZ坐標系。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





