[發(fā)明專利]發(fā)光面板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811049071.5 | 申請日: | 2018-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN109494234A | 公開(公告)日: | 2019-03-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 仁義友次 | 申請(專利權(quán))人: | 東芝北斗電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 牛玉婷 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 絕緣膜 發(fā)光面板 導(dǎo)體層 透光性 圖案 發(fā)光元件 方式配置 對置 配置 表現(xiàn) | ||
1.一種發(fā)光面板,具備多個發(fā)光模塊,上述發(fā)光模塊具備:
具有透光性的第1絕緣膜;
第2絕緣膜,與上述第1絕緣膜對置地配置,并具有透光性;
導(dǎo)體層,形成于上述第1絕緣膜以及上述第2絕緣膜的至少一方;以及
多個發(fā)光元件,以形成規(guī)定的圖案的方式配置于上述第1絕緣膜與上述第2絕緣膜之間,并連接于上述導(dǎo)體層。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光面板,其中,
上述發(fā)光模塊重疊地配置。
3.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光面板,其中,
上述發(fā)光模塊的多個上述發(fā)光元件形成的上述圖案互不相同。
4.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光面板,其中,
上述發(fā)光模塊的多個上述發(fā)光元件形成的上述圖案彼此相同。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光面板,其中,
上述發(fā)光模塊的上述發(fā)光元件在上述發(fā)光模塊相互之間位置一致。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項所述的發(fā)光面板,其中,
上述發(fā)光模塊具有可撓性。
7.如權(quán)利要求1至6中任一項所述的發(fā)光面板,其中,
具備使上述發(fā)光模塊各自的上述發(fā)光元件按照每個上述發(fā)光模塊以不同的強度發(fā)光的電源。
8.如權(quán)利要求1至7中任一項所述的發(fā)光面板,其中,
上述發(fā)光元件按照每個上述發(fā)光模塊而顏色不同。
9.如權(quán)利要求1至7中任一項所述的發(fā)光面板,其中,
在上述發(fā)光模塊中,接近地配置有射出紅色的光的上述發(fā)光元件、射出綠色的光的上述發(fā)光元件、以及射出藍色的光的上述發(fā)光元件。
10.如權(quán)利要求1至8中任一項所述的發(fā)光面板,其中,
上述圖案是文字或標(biāo)記。
11.如權(quán)利要求1至10中任一項所述的發(fā)光面板,其中,
上述第1絕緣膜以及上述第2絕緣膜的透射率為5~95%。
12.如權(quán)利要求1至11中任一項所述的發(fā)光面板,其中,
上述第1絕緣膜以及上述第2絕緣膜的彎曲彈性模量為0~320kgf/mm2。
13.如權(quán)利要求1至12中任一項所述的發(fā)光面板,其中,
上述導(dǎo)體層由多個網(wǎng)格圖案構(gòu)成。
14.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光面板,其中,
上述多個網(wǎng)格圖案由線寬度約為10μm的線圖案構(gòu)成。
15.如權(quán)利要求14所述的發(fā)光面板,其中,
多個上述線圖案的排列間距約為300μm。
16.如權(quán)利要求13至15中任一項所述的發(fā)光面板,其中,
在多個上述網(wǎng)格圖案分別形成焊盤,
上述發(fā)光元件各自的電極連接于多個上述網(wǎng)格圖案的上述焊盤,從而連接于鄰接的一組上述網(wǎng)格圖案。
17.如權(quán)利要求13至16中任一項所述的發(fā)光面板,其中,
在上述發(fā)光元件各自的電極形成凸塊,
上述電極分別經(jīng)由凸塊而連接于上述網(wǎng)格圖案的上述焊盤。
18.如權(quán)利要求1至17中任一項所述的發(fā)光面板,其中,
上述多個發(fā)光元件包含相互接近地配置的以紅色發(fā)光的紅色發(fā)光元件、以綠色發(fā)光的綠色發(fā)光元件、以及以藍色發(fā)光的藍色發(fā)光元件中的至少2個。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





