[發明專利]一種離合組件及其MOCVD設備有效
| 申請號: | 201811049002.4 | 申請日: | 2018-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN109112505B | 公開(公告)日: | 2020-12-01 |
| 發明(設計)人: | 袁素;李天芬;張金 | 申請(專利權)人: | 蘇州雨竹機電有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/458 | 分類號: | C23C16/458;C23C16/18 |
| 代理公司: | 北京高航知識產權代理有限公司 11530 | 代理人: | 劉艷玲 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市中國(江蘇)自由*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 離合 組件 及其 mocvd 設備 | ||
本發明公開了一種離合組件及其MOCVD設備,包括,第一電磁鐵、第二電磁鐵、第一離合盤、第二離合盤,第一離合盤、第二離合盤通過相互壓緊、摩擦的方式咬緊;第一離合盤安裝在調速軸一端,調速軸另一端穿過調速頂蓋后與調速齒輪裝配固定;第二離合盤與離合筒一端裝配固定,離合筒內側與驅動軸底部可軸向上移動裝配;離合筒頂部穿過離合隔板后與離合驅動板可周向轉動裝配,離合驅動板兩端分別通過離合驅動桿與驅動連接板一端裝配固定,驅動連接板設置在驅動機構上;驅動連接板還與第二伸縮軸一端裝配固定,第二伸縮軸另一端穿過下限位板后與第二電磁鐵裝配。本發明通過托盤組件實現了托盤在轉動的同時還在水平方向上擺動,從而保證托盤受熱均勻。
技術領域
本發明涉及一種氣相外延生長技術,特別是涉及一種離合組件及其MOCVD設備。
背景技術
MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料,以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延,生長各種Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。
目前MOCVD技術已經日趨成熟,其在進行氣相外延時,對溫度、氣壓等要求特別嚴格,目前主要是采用托盤帶動襯底高速轉動,然后在高溫、真空、化學性質活潑的環境中生長,形成付作仔襯底上的一層膜。
在公開號為CN103628040A的中國專利中,公開了一種MOCVD設備和MOCVD加熱方法,其指出,通過線圈感應對托盤進行加熱的話,由于磁場稀疏分布,這就可能造成托板受熱不均勻,也就導致最終成品存在不一致、瑕疵的情況。而在此專利中主要采用將托盤垂直于磁場線進行平移的方式進行解決,在實際應用時,這種方式無疑會大大增加設備結構、也就是增加前期制造成本和后期維護成本,總體來說優勢并不突出。
因此,申請人提出一種離合組件及其MOCVD設備,其能夠實現在托盤轉動的同時還在水平方向上擺動,從而使得托盤不斷穿梭于磁場稀疏、密集區,也就使得托板受熱均勻,而且還不影響托盤轉動,同時結構也比較簡單,不會大大增加著成本。
發明內容
有鑒于現有技術的上述缺陷,本發明所要解決的技術問題是提供一種離合組件及其MOCVD設備。
為實現上述目的,本發明提供了一種離合組件,包括,第一電磁鐵、第二電磁鐵、離合筒、第一離合盤、第二離合盤,所述的第一離合盤、第二離合盤通過相互壓緊、摩擦的方式咬緊;
所述的第一離合盤安裝在調速軸一端,調速軸另一端穿過調速頂蓋后與調速齒輪裝配固定;
所述的第二離合盤與離合筒一端裝配固定,離合筒內側與驅動軸底部可軸向上移動裝配;
離合筒頂部穿過離合隔板后與離合驅動板可周向轉動裝配,離合驅動板兩端分別通過離合驅動桿與驅動連接板一端裝配固定,驅動連接板設置在驅動機構上;所述的驅動連接板還與第二伸縮軸一端裝配固定,第二伸縮軸另一端穿過下限位板后與第二電磁鐵裝配。
優選地,離合筒與推力球軸承的軸圈裝配固定,推力球軸承的座圈與連接環裝配固定,所述的連接環與離合隔板底面之間設置有離合彈簧,離合彈簧用于產生使第二離合盤下移的彈力。
優選地,驅動機構,包括固定在離合隔板上的驅動立板,所述的驅動立板上分別固定有驅動托板,上限位板、下限位板、復位托板,所述的第一電磁鐵安裝在驅動托板上,且第一電磁鐵的第一伸縮軸穿過驅動立板后與離合開關板裝配固定,離合開關板貼緊在復位托板上;初始狀態時,驅動連接板貼緊在復位托板上。
優選地,所述的上限位板、下限位板上分別設置有上行程開關、下行程開關,所述的上行程開關、下行程開關結構一樣,且均設置有觸發軸,上行程開關、下行程開關的觸發軸分別穿過上限位板、下限位板進入上限位板、下限位板之間;初始狀態時驅動連接板觸發行程開關的觸發軸。
一種MOCVD設備,應用有上述離合組件。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蘇州雨竹機電有限公司,未經蘇州雨竹機電有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811049002.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





