[發明專利]一種LED基板的模壓裝置的封裝方法有效
| 申請號: | 201811047615.4 | 申請日: | 2017-04-06 |
| 公開(公告)號: | CN109119348B | 公開(公告)日: | 2020-02-25 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 江西晶眾騰光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/67;H01L33/52 |
| 代理公司: | 北京恒泰銘睿知識產權代理有限公司 11642 | 代理人: | 周成金 |
| 地址: | 330006 江西省南昌市青山湖區昌東大*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 led 模壓 裝置 封裝 方法 | ||
1.一種LED模壓裝置的封裝方法,LED模壓裝置包括上模具(1)和下模具(2),下模具(2)頂部設置有型腔(3),其特征在于:所述下模具(2)設置有注膠管(4),注膠管(4)與型腔(3)連通,注膠管(4)上設置有加壓泵(5)和加熱套管(6),型腔(3)底部的兩側分別設置有一個第一頂塊(7),第一頂塊(7)連接有第一油缸(8),兩個第一頂塊(7)之間設置有底部固定塊(9),底部固定塊(9)與第一頂塊(7)的接觸面設置有第一密封條(10),第一頂塊(7)內設置有第一電加熱部(11),底部固定塊(9)內設置有第二電加熱部(12);所述上模具(1)設置有回流管(13),回流管(13)與型腔(3)連通,上模具(1)的兩側分別設置有頂部固定塊(14),兩個頂部固定塊(14)的之間設置有第二頂塊(15),第二頂塊(15)連接有第二油缸(16),頂部固定塊(14)與第二頂塊(15)的接觸面設置有第二密封條(17),頂部固定塊(14)內設置有第三電加熱部(18),第二頂塊(15)內設置有第四電加熱部(19);
所述第二電加熱部(12)內固定設置有若干個第二電加熱絲(27),第二電加熱絲(27)外側設置有循環水管(29);
所述第四電加熱部(19)包括第二空腔(33),第二空腔(33)內活動設置有若干個第三電加熱絲(34),第三電加熱絲(34)與第二電加熱絲(27)交錯設置;
所述的封裝方法,包括以下步驟:
A、將LED基板放入型腔(3),上模具(1)和下模具(2)合模密封;
B、開啟加壓泵(5),使膠水經注膠管(4)向型腔(3)內注入膠水,注入壓力為2.8bar,當回流管(13)溢出膠水時,加熱套管(6)、第一電加熱部(11)、第二電加熱部(12)、第三電加熱部(18)和第四電加熱部(19)開始加熱;第一電加熱部(11)的加熱溫度為85℃,第二電加熱部(12)的加熱溫度為85℃,第三電加熱部(18)的加熱溫度為105℃,第四電加熱部(19)的加熱溫度為105℃;
C、保持回流管(13)的溢出速率為0.35g/s,隨著膠水在型腔(3)逐漸固化,當注入壓力升高至4.1bar時,關閉加壓泵(5),啟動第一油缸(8)和第二油缸(16),帶動第一頂塊(7)和第二頂塊(15)向型腔(3)內部移動;
D、第一頂塊(7)移動的距離為0.15mm,第二頂塊(15)移動的距離為0.12mm;第一電加熱部(11)的加熱溫度為95℃,第二電加熱部(12)的加熱溫度為120℃,第三電加熱部(18)的加熱溫度為130℃,第四電加熱部(19)的加熱溫度為125℃;
E、等待膠水徹底固化后,開模取出LED基板,對封裝邊緣進行打磨;
所述加熱套管(6)的加熱溫度比第一電加熱部(11)、第二電加熱部(12)、第三電加熱部(18)和第四電加熱部(19)加熱溫度的加權平均值低10℃,第一電加熱部(11)、第二電加熱部(12)、第三電加熱部(18)和第四電加熱部(19)加熱溫度的加權率與其自身的加熱功率成正比;
循環水管(29)內水流流速與第二電加熱絲(27)和第三電加熱絲(34)的距離成正比;
當第三電加熱部(18)的加熱溫度發生波動時,在調整加熱功率的同時,啟動第三油缸(32)對導熱棒(31)進行伸縮調整;當加熱溫度高于設定溫度時,導熱棒(31)向上移動,此時加熱溫度的變化速率為正時,則導熱棒(31)的加速度方向與速度方向相同,加熱溫度的變化速率為負時,則導熱棒(31)的加速度方向與速度方向相反;當加熱溫度低于設定溫度時,導熱棒(31)向下移動;此時加熱溫度的變化速率為正時,則導熱棒(31)的加速度方向與速度方向相反,加熱溫度的變化速率為負時,則導熱棒(31)的加速度方向與速度方向相同。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





