[發明專利]廢氣導入裝置

有效

• 申請號: 201811045719.1
• 申請日: 2018-09-07
• 公開（公告）號: CN110836379B
• 公開（公告）日: 2021-09-21
• 發明（設計）人: 馮五裕
• 申請（專利權）人: 東服企業股份有限公司
• 主分類號: F23G7/06
• 分類號: F23G7/06
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨;李林

本發明提供一種廢氣導入裝置，包括一加熱器一端植入一反應腔室內且坐落于該反應腔室的中心線上，多支廢氣導入管一端分別與該反應腔室相連通，等數于所述廢氣導入管的彎折管具有一第一管部及一第二管部，各該第一管部樞設于所述廢氣導入管內，而使各該第二管部穿探至該反應腔室，其中各該第二管部形成一排氣口，各該第二管部的管心線排除與該中心線相交，且各該第二管部的管心線與一水平面之間具有一傾角，使得所述多個排氣口能導入廢氣形成一環狀的廢氣回旋路徑；如此，改善廢氣因接觸火焰或熱空氣的時間有限而導致燒結效果不佳的問題。

技術領域

本發明涉及半導體廢氣處理設備中廢氣導入反應腔室內的供應技術，特別是有關于一種廢氣導入裝置。

背景技術

周知，半導體制程所生成的廢氣包含有SiH₄、H₂SiCl₂(DCS)、WF₆、BF₃、NF₃、SF₆、CF₄、C₂F₆C₃F₈等，其中NF₃、SF₆、CF₄、C₂F₆及C₃F₈等歸屬有害的氟化物(Per FluorinatedCompounds,PFC)，倘若排放至大氣中，會造成環境污染，甚至于溫室效應，對地球暖化造成嚴重的影響，因此必須將所述的這些廢氣處理成無害的氣體。

坊間所泛用的半導體廢氣處理設備，就是用于將上述廢氣處理成無害的氣體。一般而言，已知的半導體廢氣處理設備都設有廢氣的反應腔室，半導體制程所生成的廢氣導入反應腔室內，并且在反應腔室內以火焰或熱空氣所提供的高溫，對所述廢氣進行燒結(即燒結反應)；特別的，通過高溫的燒結反應，可將例如是有害的NF₃、SF₆、CF₄、C₂F₆及C₃F₈等氟化物氣體分解成無害的氟離子(F-)，進而達到凈化廢氣的目的。

且知，半導體廢氣處理設備包含有廢氣導入管及加熱器，其中，廢氣導入管的一端植入反應腔室而形成有一出口，廢氣導入管經由其出口而與反應腔室相連通，廢氣導入管用來導引廢氣進入反應腔室內。加熱器的一端植入反應腔室內而坐落于反應腔室的中央處，加熱器是用來在反應腔室的中央處產生火焰或熱空氣。進一步的說，廢氣導入管的出口是朝向反應腔室的中央處，使廢氣流向加熱器所產生的火焰或熱空氣，憑借火焰或熱空氣的高溫來燒結廢氣。

然而，當廢氣經由廢氣導入管的出口導入反應腔室瞬間，由于廢氣導入管的出口是朝向反應腔室的中央處，使得廢氣是沿直線路徑移動來接觸加熱器在反應腔室的中央處所產生的火焰或熱空氣，導致廢氣接觸火焰或熱空氣的時間有限，乃至于廢氣的燒結效果不佳，因此，如何增加廢氣接觸火焰或熱空氣的時間，便成為一項有待克服的技術課題。

發明內容

有鑒于此，本發明的主要目的在于改善半導體廢氣在反應腔室內接觸火焰或熱空氣的時間有限，導致廢氣的燒結效果不佳的問題。

為達到上述目的，本發明提供一種廢氣導入裝置，其特征是包括：

一反應腔室，具有一中心線；

一加熱器，其一端植入該反應腔室內且坐落于該中心線上，并且沿該中心線提供一熱源進入該反應腔室；

多支廢氣導入管，其一端分別與該反應腔室相連通；及

等數于所述廢氣導入管的彎折管，分別具有相互連通形成的一第一管部及一第二管部，各該第一管部沿著一第一管心線延伸形成，各該第二管部沿著一第二管心線延伸形成，且各該第一管部樞設于所述廢氣導入管內，而使各該第二管部穿探至該反應腔室；