[發明專利]一種太陽能電池及其生產工藝在審
| 申請號: | 201811045219.8 | 申請日: | 2018-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN109216479A | 公開(公告)日: | 2019-01-15 |
| 發明(設計)人: | 王建波;呂俊;朱琛;仲春華;張東威;楊飛 | 申請(專利權)人: | 泰州隆基樂葉光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/04 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人: | 徐文權 |
| 地址: | 225300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電極槽 太陽能電池 填充 銀漿 生產工藝 太陽能電池結構 槽內空間 串聯電阻 上寬下窄 生產加工 正面柵線 中心聚集 填滿 空洞 兩邊 保證 | ||
本發明涉及太陽能電池結構及生產加工領域,具體涉及一種太陽能電池及其生產工藝,該太陽能電池在其正面設有電極槽,太陽能電池正面柵線填充于電極槽;電極槽為上寬下窄的結構通過該形狀的電極槽能夠使銀漿由上往下,由兩邊向中心聚集,保證銀漿可以充分填充電極槽的底部,從而更好的填滿槽內空間,解決現有技術中填充不充分引起的空洞對串聯電阻的影響。
技術領域
本發明涉及太陽能電池結構及生產加工領域,具體涉及一種太陽能電池及其生產工藝。
背景技術
傳統火力發電所帶來的弊端對環境的影響越來越受到人們的關注,人們對綠色能源的需求使光伏行業迅速發展,并且隨著太陽能電池的制造技術的不斷成熟與完善,新技術和新工藝的使用讓光伏發電的成本不斷降低,使其與傳統發電成本更加接近。
現代太陽能電池工業化生產朝著高效低成本化方向發展,傳統太陽能電池的柵線包括主柵和細柵,因銀漿的流動性使得細柵線的高寬比無法做到太大,而主柵主要作為匯流作用且較大的遮光面積會降低電流的產生并增加銀漿的使用。因此,MWT太陽能電池與刻槽埋柵技術相結合成為高效低成本發展方向的代表。MWT(Metal Wrap Through)指金屬穿孔卷繞技術,具體為通過激光或者其他方法在原硅片上實現穿孔的工藝,達到將原電極引到同一面上的目的,能夠通過減少主柵遮光面積增加電池的轉化效率。刻槽埋柵技術通過將柵線的一部分埋入硅片內,這可在降低柵線寬度同時增加柵線高度。這樣可以在不影響串聯電阻的情況下減少的遮光面積,得到更高的短路電流。同時銀在電極槽內可增大與硅的接觸面積從而降低接觸電阻以及更高的電流收集率,是一種較為實用的低成本高效電池技術。
目前應用的刻槽埋柵是通過激光在硅片表面刻槽,將銀漿填入電極槽內。此技術可減少遮光面積,降低接觸電阻,提高電流的收集。但實際應用過程中依然有串聯電阻過大和效率低等問題。這些問題主要是由于印刷過程中銀漿未充分填滿電極槽,使槽內存在空洞造成接觸電阻的增大,引起效率的降低,并存在電極脫落的風險。而激光刻槽造成的損害層制絨無法完全去除,這樣會增加少子復合中心,且在擴散時電極槽內磷分布相對于表面均勻性會變差,從而造成接觸電阻的增大。
發明內容
為解決現有技術中存在的問題,本發明的目的在于提供一種太陽能電池。
一種太陽能電池,所述太陽能電池的正面設有電極槽,所述太陽能電池正面柵線的下半部分填充于所述電極槽內;所述電極槽為上寬下窄的結構。
所述太陽能電池為MWT太陽能電池,所述MWT太陽能電池在其正面設有電極槽,所述MWT太陽能電池正面柵線填充于所述電極槽。
優選的,所述電極槽的形狀為倒梯形、半圓形或半橢圓形。
優選的,所述電極槽的形狀為倒梯形,電極槽上底與下底的長度比為(1.2-1.5):1。
優選的,所述電極槽的下底長度設置為10-20μm,上底長度設置為15-25μm,高度設置為5-10μm。
本發明的目的還在于提供一種太陽能電池的生產工藝。
一種太陽能電池的生產工藝,包括如下步驟:
在制備所述太陽能電池時,在所述太陽能電池的正面制備出正面柵線圖形的電極槽;在制備所述太陽能的正面柵線時,將所述正面柵線填充于所述電極槽。
所述太陽能電池生產工藝的具體過程如下:
步驟1,在硅基底表面制備出正面柵線圖形的電極槽和貫穿硅基底的電極孔,所述電極槽為上寬下窄的電極槽;
步驟2,對步驟1所得產品依次進行表面損傷層的去除、制絨和擴散;
步驟3,對步驟2所得產品依次進行:在所述電極孔設置掩膜、去除表面的磷硅玻璃和邊緣PN結以及去除所述電極孔處的掩膜;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





