[發(fā)明專(zhuān)利]一種太陽(yáng)能電池及其生產(chǎn)工藝在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811045219.8 | 申請(qǐng)日: | 2018-09-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109216479A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-01-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王建波;呂俊;朱琛;仲春華;張東威;楊飛 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 泰州隆基樂(lè)葉光伏科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L31/0224 | 分類(lèi)號(hào): | H01L31/0224;H01L31/04 |
| 代理公司: | 西安通大專(zhuān)利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人: | 徐文權(quán) |
| 地址: | 225300 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電極槽 太陽(yáng)能電池 填充 銀漿 生產(chǎn)工藝 太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu) 槽內(nèi)空間 串聯(lián)電阻 上寬下窄 生產(chǎn)加工 正面柵線 中心聚集 填滿 空洞 兩邊 保證 | ||
1.一種太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述太陽(yáng)能電池的正面設(shè)有電極槽,所述太陽(yáng)能電池正面柵線的下半部分填充于所述電極槽內(nèi);所述電極槽為上寬下窄的結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述電極槽的形狀為倒梯形、半圓形或半橢圓形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述電極槽的形狀為倒梯形,所述電極槽的上底與下底的長(zhǎng)度比為(1.2-1.5):1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述電極槽的下底長(zhǎng)度設(shè)置為10-20μm,上底長(zhǎng)度設(shè)置為15-25μm,高度設(shè)置為5-10μm。
5.一種太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)工藝,其特征在于,包括如下步驟:
在制備所述太陽(yáng)能電池時(shí),在所述太陽(yáng)能電池的正面制備出正面柵線圖形的電極槽;在制備所述太陽(yáng)能的正面柵線時(shí),將所述正面柵線填充于所述電極槽。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的生產(chǎn)工藝,其特征在于,所述太陽(yáng)能電池生產(chǎn)工藝的具體過(guò)程如下:
步驟1,在硅基底表面制備出正面柵線圖形的電極槽和貫穿硅片的電極孔,所述電極槽為上寬下窄的電極槽;
步驟2,對(duì)步驟1所得產(chǎn)品依次進(jìn)行表面損傷層的去除、制絨和擴(kuò)散;
步驟3,對(duì)步驟2所得產(chǎn)品依次進(jìn)行:在所述電極孔設(shè)置掩膜、去除表面的磷硅玻璃和邊緣PN結(jié)以及去除所述電極孔處的掩膜;
步驟4,對(duì)步驟3所得產(chǎn)品表面依次制備氧化硅膜、復(fù)合膜和減反射膜;
步驟5,在步驟4所得產(chǎn)品正面的電極槽制備正面柵線;在背面制備背面電極的正極和負(fù)極,并印刷背電場(chǎng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的生產(chǎn)工藝,其特征在于,所述步驟2中,采用化學(xué)腐蝕的方法對(duì)損傷層進(jìn)行去除,具體過(guò)程為:在反應(yīng)溫度為60-80℃范圍內(nèi)使用pH值為10-12的堿性溶液去除損傷層,其中,反應(yīng)時(shí)間在120-240s范圍內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的生產(chǎn)工藝,其特征在于,所述步驟4中,通過(guò)熱退火制備氧化硅膜,熱退火的溫度為500-700℃,時(shí)間為20-40min,氧氣流量為800-1500sccm。
9.根據(jù)權(quán)利要求5-8任意一項(xiàng)所述的生產(chǎn)工藝,其特征在于,所述電極槽的形狀為倒梯形,電極槽上底與下底的長(zhǎng)度比為(1.2-1.5):1。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的生產(chǎn)工藝,其特征在于,所述電極槽的下底長(zhǎng)度設(shè)置為10-20μm,上底長(zhǎng)度設(shè)置為15-25μm,高度設(shè)置為5-10μm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專(zhuān)門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





