[發明專利]具有介電隔離的多鰭高度

有效

• 申請號: 201811044898.7
• 申請日: 2018-09-07
• 公開（公告）號: CN109473478B
• 公開（公告）日: 2021-12-21
• 發明（設計）人: 吳旭升;亓屹;彭建偉;羅先慶;顧四朋
• 申請（專利權）人: 格芯(美國)集成電路科技有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種形成半導體結構的方法，其包含：

沉積一第一外延層于一半導體襯底上；

沉積一第二外延層于該第一外延層上；

形成一覆蓋層于該第二外延層上面；

形成穿過該覆蓋層、該第二外延層及該第一外延層的數個開口，其中，所述開口伸入該半導體襯底；

在所述開口內沉積一介電層；

移除該覆蓋層以暴露該介電層的上側壁表面；

在該介電層的該上側壁表面上面形成一側壁間隔體層；

使用該側壁間隔體層作為一蝕刻掩模來蝕刻該第二外延層以形成各自設置于該介電層的一側壁表面上面的數個半導體鰭片；

從所述半導體鰭片下面移除該第一外延層；以及

沉積在所述半導體鰭片下面的一隔離層。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，該第一外延層包含硅鍺且該第二外延層包含硅。

3.如權利要求1所述的方法，進一步包含在形成所述開口之前，平坦化該第二外延層。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述開口包含平行的溝槽。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，該半導體襯底包括一隆起區與毗鄰該隆起區的一下凹區，以及所述半導體鰭片在該隆起區上面有一第一高度且在該下凹區上面有大于該第一高度的一第二高度。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，在該隆起區上面的所述半導體鰭片的頂面與在該下凹區上面的所述半導體鰭片的頂面實質共面。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，該第一外延層有5至20納米的厚度。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，該介電層包含二氧化硅且該側壁間隔體層包含氮化硅。

9.一種半導體結構，其包含：

第一鰭片，設置于一半導體襯底的一隆起區上面；

第二鰭片，設置于該半導體襯底的一下凹區上面的一具有大于該第一鰭片的高度，其中，在該半導體襯底與該第一鰭片之間以及在該半導體襯底與該第二鰭片之間設置一隔離層；

設置于該第一鰭片及該第二鰭片上面的一柵極介電層；以及

設置于該柵極介電層上面的一柵極導體層，其中，位于該第一鰭片的相對兩側的該柵極導體層的兩個底面均低于該第一鰭片的底面。

10.如權利要求9所述的半導體結構，其特征在于，該第一鰭片的一頂面與該第二鰭片的一頂面實質共面。

11.如權利要求9所述的半導體結構，其特征在于，該第一鰭片的該底面高于該第二鰭片的底面。

12.如權利要求9所述的半導體結構，其特征在于，該第一鰭片的高度為30至50納米且該第二鰭片的高度為40至70納米。

13.如權利要求9所述的半導體結構，其特征在于，該隔離層直接接觸該第一鰭片的該底面與該第二鰭片的底面。

14.如權利要求9所述的半導體結構，其特征在于，該隔離層包含二氧化硅。