[發明專利]測試項目確定方法及裝置、存儲介質和電子設備有效
| 申請號: | 201811044826.2 | 申請日: | 2018-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN110888036B | 公開(公告)日: | 2022-02-15 |
| 發明(設計)人: | 林祐賢 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G01R31/28 |
| 代理公司: | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人: | 王輝;闞梓瑄 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 測試 項目 確定 方法 裝置 存儲 介質 電子設備 | ||
本發明公開了一種測試項目確定方法及裝置、存儲介質和電子設備,涉及集成電路測試技術領域。該測試項目確定方法包括:獲取當前集成電路芯片測試過程中成品測試階段之前的測試數據;確定測試數據中與成品測試階段相關的特征數據;根據特征數據確定成品測試階段的測試項目。本公開可以提高成品測試階段的測試效率。
技術領域
本公開涉及集成電路測試技術領域,具體而言,涉及一種測試項目確定方法、測試項目確定裝置、存儲介質和電子設備。
背景技術
集成電路(Integrated Circuit,IC)是一種微型電子器件或部件。它是經過氧化、光刻、擴散、外延、成膜等半導體制造工藝,把構成具有一定功能的電路所需的半導體、電阻、電容等元件及它們之間的連接導線全部集成在一小塊硅片上,然后焊接封裝在一個管殼內的電子器件。隨著IC技術的發展,集成電路已經應用到各種類型的電子設備中。
集成電路芯片測試通常可以包括晶圓測試(Wafer Test,WT)、晶圓探針測試(Wafer Probe)和成品測試(Final Test,FT)階段。其中,晶圓探針測試又可被記為CP(Circuit Probing,CP)。
可以將晶圓測試理解為晶圓從晶圓廠生產出來后,切割減薄之前的檢測;可以將晶圓探針測試理解為晶圓經過切割減薄工序后成為一片片獨立的芯片(chip)之后的檢測;可以將成品測試理解為芯片封裝成成品后的檢測。
目前,針對成品測試階段,對封裝成品進行測試的項目相同,即對每一項測試內容均進行測試,這種測試方式沒有針對性,可能造成一些非必要的檢測過程,浪費了測試資源且測試效率較低。
需要說明的是,在上述背景技術部分公開的信息僅用于加強對本公開的背景的理解,因此可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。
發明內容
本公開的目的在于提供一種測試項目確定方法、測試項目確定裝置、存儲介質和電子設備,進而至少在一定程度上克服由于相關技術的限制和缺陷而導致的集成電路成品測試階段效率較低的問題。
根據本公開的一個方面,提供一種測試項目確定方法,應用于集成電路芯片測試的成品測試階段,包括:獲取當前集成電路芯片測試過程中成品測試階段之前的測試數據;確定測試數據中與成品測試階段相關的特征數據;根據特征數據確定成品測試階段的測試項目。
可選地,確定測試數據中與成品測試階段相關的特征數據包括:將測試數據輸入一訓練后的自編碼器網絡,以確定測試數據中與成品測試階段相關的特征數據。
可選地,測試項目確定方法還包括:確定歷史各集成電路芯片測試過程中成品測試階段之前的歷史測試數據;基于各歷史測試數據以及各歷史測試數據對應的成品測試階段的測試項目訓練自編碼器網絡。
可選地,根據特征數據確定成品測試階段的測試項目包括:利用自編碼器網絡確定各歷史測試數據中與成品測試階段相關的歷史特征數據;確定與特征數據相似的歷史特征數據對應的成品測試階段的測試項目,作為當前集成電路芯片中成品測試階段的測試項目。
可選地,將各歷史特征數據中與特征數據滿足預設相似度要求的歷史特征數據作為與特征數據相似的歷史特征數據。
可選地,確定與特征數據相似的歷史特征數據對應的成品測試階段的測試項目包括:對歷史特征數據進行聚類,以確定多個類簇;確定特征數據對應的特征向量距各類簇的距離,并根據各距離確定特征數據對應的測試項目。
可選地,測試數據為晶圓探針測試階段產生的測試數據。
根據本公開的一個方面,提供一種測試項目確定裝置,應用于集成電路芯片測試的成品測試階段,該測試項目確定裝置可以包括測試數據獲取模塊、特征數據確定模塊和測試項目確定模塊。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





