[發(fā)明專利]相位移光罩缺陷補(bǔ)償方法、裝置及相位移光罩

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811044352.1
• 申請(qǐng)日: 2018-09-07
• 公開（公告）號(hào): CN110888298B
• 公開（公告）日: 2023-09-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 請(qǐng)求不公布姓名
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G03F1/72
• 分類號(hào): G03F1/72;G03F1/26
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務(wù)所 11313
• 代理人: 張臻賢;李夠生

本發(fā)明涉及一種相位移光罩缺陷補(bǔ)償方法、裝置及相位移光罩，方法包括：根據(jù)提供的相位移光罩，獲取相位移光罩的參數(shù)；根據(jù)相位移光罩的參數(shù)建立檢測模型；通過檢測模型結(jié)合照明條件以及晶圓的光刻膠性質(zhì)，計(jì)算出相位移光罩中的相位移墊層圖案上的缺陷區(qū)域；缺陷區(qū)域?yàn)橄辔灰乒庹制毓鈺r(shí)導(dǎo)致晶圓的表面出現(xiàn)破口的區(qū)域；根據(jù)缺陷區(qū)域的邊界，確定需要覆蓋在缺陷區(qū)域上的不透光層的邊界；不透光層覆蓋缺陷區(qū)域。本發(fā)明實(shí)施例通過檢測相位移墊層圖案中的缺陷區(qū)域，并在缺陷區(qū)域上覆蓋不透光層，實(shí)現(xiàn)在通過相位移光罩對(duì)晶圓曝光時(shí)，在不透光層的作用下，與缺陷區(qū)域?qū)?yīng)的晶圓表面位置處不再出現(xiàn)破口。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光刻技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種相位移光罩缺陷補(bǔ)償方法、裝置及相位移光罩。

背景技術(shù)

在背景技術(shù)中，相位移光罩(PSM，phase?shift?mask)主要用于將預(yù)先設(shè)計(jì)的電子電路布局圖案精確且清晰的轉(zhuǎn)印到晶圓上。由于相位移光罩的穿透率不同，在曝光晶圓時(shí)，隨著相位移光罩穿透率的增大，在晶圓上形成的面積較大的圖案位置上會(huì)出現(xiàn)凹陷或開口。使得相位移光罩上的圖案無法完整的轉(zhuǎn)印到晶圓上。例如，如圖1所示，采用穿透率為15％的相位移光罩進(jìn)行曝光時(shí)，若相位移光罩上設(shè)計(jì)的圖案尺寸較大，則曝光后，晶圓200上與該圖案對(duì)應(yīng)的光刻圖案201位置會(huì)形成凹陷202。圖2所示，采用穿透率為30％的相位移光罩進(jìn)行曝光時(shí)，若相位移光罩上設(shè)計(jì)的圖案尺寸較大，則曝光后，晶圓200上與該圖案對(duì)應(yīng)的光刻圖案201位置中部會(huì)被完全貫穿，形成開口203。從而導(dǎo)致晶圓報(bào)廢，降低了晶圓的成品率。

在背景技術(shù)中公開的上述信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本發(fā)明的背景的理解，因此其可能包含沒有形成為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所知曉的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種相位移光罩缺陷補(bǔ)償方法、裝置及相位移光罩，以解決或緩解現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題，至少提供一種有益的選擇。

本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

根據(jù)本發(fā)明的第一方面實(shí)施例，提供一種相位移光罩缺陷補(bǔ)償方法，包括：

根據(jù)提供的相位移光罩，獲取所述相位移光罩的參數(shù)，所述相位移光罩具有相位移墊層圖案及相位移線路圖案；所述相位移墊層圖案的長寬或直徑大于等于200nm，所述相位移線路圖案的線寬小于等于40nm；

根據(jù)所述相位移光罩的參數(shù)建立檢測模型；

通過所述檢測模型結(jié)合照明條件以及晶圓的光刻膠性質(zhì)，計(jì)算出所述相位移光罩中的所述相位移墊層圖案中的缺陷區(qū)域；其中，所述缺陷區(qū)域?yàn)樗鱿辔灰乒庹制毓鈺r(shí)導(dǎo)致所述晶圓的表面出現(xiàn)破口的區(qū)域，所述缺陷區(qū)域相對(duì)于所述相位移墊層圖案更分離于所述相位移線路圖案；以及

根據(jù)所述缺陷區(qū)域的第一邊界，確定需要覆蓋在所述缺陷區(qū)域上的不透光層的第二邊界；其中，所述不透光層的第二邊界位于所述缺陷區(qū)域的第一邊界和所述相位移墊層圖案的鄰近邊界之間，用于覆蓋所述缺陷區(qū)域。

在一些實(shí)施例中，還包括：

根據(jù)確定的所述不透光層的第二邊界，在所述缺陷區(qū)域上覆蓋所述不透光層，以使所述相位移光罩曝光時(shí)，所述晶圓的表面上與所述墊層圖案相對(duì)應(yīng)的區(qū)域中無破口產(chǎn)生。

在一些實(shí)施例中，所述相位移光罩的參數(shù)至少包括：所述相位移光罩的穿透率以及所述相位移墊層圖案的面積。

在一些實(shí)施例中，還包括：

判斷所述相位移墊層圖案的面積是否大于預(yù)設(shè)檢測面積；

當(dāng)所述相位移墊層圖案的面積大于所述預(yù)設(shè)檢測面積，執(zhí)行根據(jù)所述相位移光罩的參數(shù)建立檢測模型的步驟。

在一些實(shí)施例中，還包括：

判斷所述相位移墊層圖案的面積是否大于預(yù)設(shè)檢測面積；