[發(fā)明專利]相位移光罩缺陷補(bǔ)償方法、裝置及相位移光罩有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811044352.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-09-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110888298B | 公開(公告)日: | 2023-09-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 請(qǐng)求不公布姓名 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G03F1/72 | 分類號(hào): | G03F1/72;G03F1/26 |
| 代理公司: | 北京市鑄成律師事務(wù)所 11313 | 代理人: | 張臻賢;李夠生 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 相位 移光罩 缺陷 補(bǔ)償 方法 裝置 | ||
1.一種相位移光罩缺陷補(bǔ)償方法,其特征在于,包括:
根據(jù)提供的相位移光罩,獲取所述相位移光罩的參數(shù),所述相位移光罩具有相位移墊層圖案及相位移線路圖案;所述相位移墊層圖案的長(zhǎng)寬或直徑大于等于200nm,所述相位移線路圖案的線寬小于等于40nm;
根據(jù)所述相位移光罩的參數(shù)建立檢測(cè)模型;其中,所述相位移光罩的參數(shù)至少包括所述相位移光罩的穿透率以及所述相位移墊層圖案的形狀、邊界尺寸、材料和穿透率;
通過所述檢測(cè)模型結(jié)合照明條件以及晶圓的光刻膠性質(zhì),計(jì)算出所述相位移光罩中的所述相位移墊層圖案中的缺陷區(qū)域;其中,所述缺陷區(qū)域?yàn)樗鱿辔灰乒庹制毓鈺r(shí)導(dǎo)致所述晶圓的表面出現(xiàn)破口的區(qū)域,所述缺陷區(qū)域至所述相位移線路圖案的最短距離大于所述相位移墊層圖案至所述相位移線路圖案的最短距離;以及
根據(jù)所述缺陷區(qū)域的第一邊界,確定需要覆蓋在所述缺陷區(qū)域上的不透光層的第二邊界;其中,所述不透光層的第二邊界位于所述缺陷區(qū)域的第一邊界和所述相位移墊層圖案的鄰近邊界之間,用于覆蓋所述缺陷區(qū)域;
根據(jù)確定的所述不透光層的第二邊界,在所述缺陷區(qū)域上覆蓋所述不透光層,以使所述相位移光罩曝光時(shí),所述晶圓的表面上與所述墊層圖案相對(duì)應(yīng)的區(qū)域中無破口產(chǎn)生。
2.如權(quán)利要求1所述的相位移光罩缺陷補(bǔ)償方法,其特征在于,還包括:
判斷所述相位移墊層圖案的面積是否大于預(yù)設(shè)檢測(cè)面積;
當(dāng)所述相位移墊層圖案的面積大于所述預(yù)設(shè)檢測(cè)面積,執(zhí)行根據(jù)所述相位移光罩的參數(shù)建立檢測(cè)模型的步驟。
3.如權(quán)利要求1所述的相位移光罩缺陷補(bǔ)償方法,其特征在于,還包括:
判斷所述相位移墊層圖案的面積是否大于預(yù)設(shè)檢測(cè)面積;
當(dāng)所述相位移墊層圖案的面積大于所述預(yù)設(shè)檢測(cè)面積,則通過光強(qiáng)模型結(jié)合所述照明條件、所述晶圓的光刻膠性質(zhì)以及所述相位移光罩的穿透率,計(jì)算所述相位移光罩投射到所述晶圓上的光強(qiáng);
判斷所述光強(qiáng)是否小于預(yù)設(shè)顯影光強(qiáng);
當(dāng)所述光強(qiáng)小于預(yù)設(shè)顯影光強(qiáng),則執(zhí)行根據(jù)所述相位移光罩的參數(shù)建立檢測(cè)模型的步驟。
4.如權(quán)利要求1所述的相位移光罩缺陷補(bǔ)償方法,其特征在于,還包括:
對(duì)確定的所述不透光層的第二邊界進(jìn)行校正。
5.如權(quán)利要求1所述的相位移光罩缺陷補(bǔ)償方法,其特征在于,還包括:
當(dāng)所述相位移墊層圖案上覆蓋所述不透光層后,對(duì)所述相位移墊層圖案的工藝窗口重新確定切點(diǎn)。
6.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的相位移光罩缺陷補(bǔ)償方法,其特征在于,所述不透光層的材料包含鉻。
7.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的相位移光罩缺陷補(bǔ)償方法,其特征在于,所述不透光層包含光穿透率小于等于6%的氮氧化硅鉬層。
8.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的相位移光罩缺陷補(bǔ)償方法,其特征在于,所述不透光層為矩形或與所述缺陷區(qū)域外輪廓相同的形狀,所述缺陷區(qū)域的第一邊界至所述不透光層的第二邊界的距離介于5~10nm。
9.一種相位移光罩缺陷補(bǔ)償裝置,其特征在于,包括:
獲取模塊,用于根據(jù)提供的相位移光罩,獲取所述相位移光罩的參數(shù);
建模模塊,用于根據(jù)所述相位移光罩的參數(shù)建立檢測(cè)模型;其中,所述相位移光罩的參數(shù)至少包括所述相位移光罩的穿透率以及所述相位移墊層圖案的形狀、邊界尺寸、材料和穿透率;
檢測(cè)模塊,用于通過所述檢測(cè)模型結(jié)合照明條件以及晶圓的光刻膠性質(zhì),計(jì)算出所述相位移光罩中的相位移墊層圖案上的缺陷區(qū)域;所述缺陷區(qū)域?yàn)樗鱿辔灰乒庹制毓鈺r(shí)導(dǎo)致所述晶圓的表面出現(xiàn)破口的區(qū)域;以及
確定模塊,用于根據(jù)所述缺陷區(qū)域的第一邊界,確定需要覆蓋在所述缺陷區(qū)域上的不透光層的第二邊界;
補(bǔ)償模塊,用于根據(jù)確定的所述不透光層的第二邊界,在所述缺陷區(qū)域上覆蓋不透光層,以使所述相位移光罩曝光時(shí),所述晶圓的表面上與所述相位移墊層圖案相對(duì)應(yīng)的區(qū)域中無破口產(chǎn)生。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
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