[發明專利]一種采用廢紙制備碳化硅的方法在審
| 申請號: | 201811044256.7 | 申請日: | 2018-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN108892512A | 公開(公告)日: | 2018-11-27 |
| 發明(設計)人: | 王志江;蘭曉琳 | 申請(專利權)人: | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號: | C04B35/565 | 分類號: | C04B35/565;C04B35/65;C04B35/622;C04B38/00 |
| 代理公司: | 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109 | 代理人: | 賈澤純 |
| 地址: | 150001 黑龍*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制備 廢紙 碳化硅 半導體材料領域 碳化硅生產 高效回收 生物傳感 碳化處理 紙漿回收 燒結 吸波 催化 能源 環保 | ||
一種采用廢紙制備碳化硅的方法。本發明屬于環保、能源、催化、吸波、生物傳感、半導體材料領域,具體涉及一種采用廢紙制備碳化硅的方法。本發明是要解決現有廢紙利用率低、制備SiC材料成本高的問題。方法:一、紙漿回收;二、碳化處理;三、燒結,即得到由廢紙制備的SiC。本發明主要用于紙張高效回收以及碳化硅生產。
技術領域
本發明屬于環保、能源、催化、吸波、生物傳感、半導體材料領域,具體涉及一種采用廢紙制備碳化硅的方法。
背景技術
寬帶隙的碳化硅(SiC)是具有一系列優異性能的半導體材料,其優良的熱傳導率、低熱 膨脹系數、高機械性能、耐腐蝕和抗氧化性、良好的熱穩定性和化學穩定性等使碳化硅廣 泛應用于汽車、航空航天、化工、石油鉆探、雷達隱身等領域。現階段,特殊形貌的SiC材料普遍價格昂貴。尋找能夠生產成本低廉、性能優異的SiC材料制備方法的需求越來越廣泛和迫切。探索了一種綠色途徑,用廢紙作為原材料,制備出了高附加值的碳化硅粉體。
發明內容
本發明是要解決現有廢紙利用率低、制備SiC材料成本高的問題,而提供一種采用廢 紙制備碳化硅的方法。
本發明一種采用廢紙制備碳化硅的方法具體是按以下步驟完成的:
一、紙漿回收:將廢紙依次進行分離、漂洗、過濾和干燥,回收廢紙纖維素并制漿,得到廢紙漿;
二、碳化處理:將廢紙漿在惰性氣體保護下進行炭化處理,得到纖維素基碳骨架;
三、燒結:將纖維素基碳骨架包裹在反應硅源內部,然后燒結,再冷卻至室溫,得到碳化硅。
本發明的有益效果:
一、本發明開發了一種廢紙資源化、變廢為寶的方法,賦予廢紙高附加值,實現生物 質纖維素資源的高效利用。
二、本發明提供一種新型SiC的制備方法,該SiC材料采用廢紙纖維素作為碳源、硅粉和二氧化硅為硅源,然后在惰性氣體環境下進行高溫燒結,最終制備出由廢紙生產的SiC材料,制備的SiC材料吸波性能優異。
三、通過改變燒結溫度可調節由廢紙生產的SiC材料的形貌、納米線數量以及長度; 四、通過改變由廢紙生產的SiC材料的形貌、納米線數量以及長度可以制備出具有優異吸 波性能的SiC。
附圖說明
圖1為實施例1步驟一得到的廢紙漿的SEM圖。圖中回收后紙張纖維素以層狀結構搭 接,纖維素的平均厚度為10μm。
圖2為實施例1制備的SiC的SEM圖,1400℃下制備的SiC基本保持回收處理后紙張的微觀形貌。
圖3為實施例1、實施例2和實施例3制備的SiC的XRD對比圖;
圖4為實施例2制備的SiC的SEM圖;
圖5為實施例3制備的SiC的SEM圖;
圖6是實施例3制備的SiC的反射損耗與頻率、厚度的關系圖;
圖7為實施例3制備的SiC的HRTEM圖;
圖8為實施例3制備的SiC的選區電子衍射圖。
具體實施方式
具體實施方式一:本實施方式一種采用廢紙制備碳化硅的方法具體是按以下步驟完成 的:
一、紙漿回收:將廢紙依次進行分離、漂洗、過濾和干燥,回收廢紙纖維素并制漿,得到廢紙漿;
二、碳化處理:將廢紙漿在惰性氣體保護下進行炭化處理,得到纖維素基碳骨架;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于哈爾濱工業大學,未經哈爾濱工業大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811044256.7/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





