[發明專利]一種采用廢紙制備碳化硅的方法

在審

• 申請號: 201811044256.7
• 申請日: 2018-09-07
• 公開（公告）號: CN108892512A
• 公開（公告）日: 2018-11-27
• 發明（設計）人: 王志江;蘭曉琳
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: C04B35/565
• 分類號: C04B35/565;C04B35/65;C04B35/622;C04B38/00
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109
• 代理人: 賈澤純

1.一種采用廢紙制備碳化硅的方法，其特征在于采用廢紙制備碳化硅的方法具體是按以下步驟完成的：

一、紙漿回收：將廢紙依次進行分離、漂洗、過濾和干燥，回收廢紙纖維素并制漿，得到廢紙漿；

二、碳化處理：將廢紙漿在惰性氣體保護下進行炭化處理，得到纖維素基碳骨架；

三、燒結：將纖維素基碳骨架包裹在反應硅源內部，然后燒結，再冷卻至室溫，得到碳化硅。

2.根據權利要求1所述的一種采用廢紙制備碳化硅的方法，其特征在于步驟一中所述廢紙為普通文化用紙廢紙。

3.根據權利要求1所述的一種采用廢紙制備碳化硅的方法，其特征在于步驟一中所述分離過是將廢紙切成碎片加入到蒸餾水中，以2000r/min轉速攪拌分散20～40h；所述廢紙的質量與蒸餾水的體積比為1g:(45～55)mL。。

4.根據權利要求1所述的一種采用廢紙制備碳化硅的方法，其特征在于步驟一中所述漂洗是通過蒸餾水反復沖洗。

5.根據權利要求1所述的一種采用廢紙制備碳化硅的方法，其特征在于步驟一中所述過濾為真空抽濾。

6.根據權利要求1所述的一種采用廢紙制備碳化硅的方法，其特征在于步驟一中所述干燥是在溫度為100～120℃下進行干燥。

7.根據權利要求1所述的一種采用廢紙制備碳化硅的方法，其特征在于步驟二中所述炭化處理是在溫度為750～850℃下處理2～3h。

8.根據權利要求1所述的一種采用廢紙制備碳化硅的方法，其特征在于步驟二中所述干燥的溫度為40～100℃，時間為0.2～4h。

9.根據權利要求1所述的一種采用廢紙制備碳化硅的方法，其特征在于步驟三中所述反應硅源為硅粉，所述纖維素基碳骨架中C元素與反應硅源硅源中Si元素的摩爾比(1.5～2.5):1。

10.根據權利要求9所述的一種采用廢紙制備碳化硅的方法，其特征在于步驟三中將纖維素基碳骨架包裹在反應硅源內部，然后燒結，再冷卻至室溫，得到碳化硅具體是按以下步驟進行的：將纖維素基碳骨架包裹在反應硅源內部，得到盛有反應物的剛玉坩堝；以氬氣作保護氣，將盛有反應物的剛玉坩堝在溫度為1400～1600℃下燒結3h，冷卻至室溫，得到碳化硅。