[發明專利]等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 201811043173.6
• 申請日: 2018-09-07
• 公開（公告）號: CN109473332B
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發明（設計）人: 池田太郎;小松智仁;中入淳
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H05H1/46
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

本發明提供一種利用通過微波生成的氣體等離子體在處理容器的內部對被處理體進行處理的等離子體處理裝置，其包括：從微波導入部導入微波的所述處理容器的微波導入面；和多個氣體排出孔，其以包圍所述微波導入部的方式以規定間隔配置在從所述微波導入面和與該微波導入面鄰接的上述處理容器的面的邊界線起表皮深度的范圍內。本發明的目的在于防止由微波的表面波導致的異常放電。

技術領域

本發明涉及一種等離子體處理裝置。

背景技術

在微波等離子體處理裝置中，從微波導入部導入的微波成為表面波沿著處理容器的微波導入面傳播。例如，當微波從處理容器的頂壁導入時，微波的表面波以將處理容器的頂壁的表面作為微波導入面的方式傳播。

微波的表面波將供給到處理容器的處理氣體等離子體化，利用該等離子體對搬入處理容器內部的晶片實施規定的處理。處理氣體例如從設置在處理容器的頂壁或者側壁的多個氣體孔被供給到處理容器內部(例如，參照專利文獻1～3)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2005-196994號公報

專利文獻2：日本特開2008-251674號公報

專利文獻3：日本特開2016-15496號公報

發明內容

發明要解決的技術問題

微波導入面的端部與處理容器的側壁的表面成90°，形成角部。另外，在頂壁、側壁的表面形成臺階和配置在處理容器內的零件的接縫。在角部、接縫和臺階處，有時微波的表面波的電場集中而產生異常放電。

對于上述技術問題，在一個方面，本發明的目的在于防止由微波的表面波導致的異常放電。

用于解決技術問題的技術方案

為了解決上述技術問題，根據一個方式，提供一種利用通過微波生成的氣體等離子體在處理容器的內部對被處理體進行處理的等離子體處理裝置，其包括：用于從微波導入部導入微波的所述處理容器的微波導入面；和多個氣體排出孔，其以包圍所述微波導入部的方式以規定間隔配置在從所述微波導入面和與該微波導入面鄰接的所述處理容器的面的邊界線起表皮深度的范圍內。

發明效果

根據一個方面，能夠防止由微波的表面波導致的異常放電。

附圖說明

圖1是表示一個實施方式的微波等離子體處理裝置的一例的圖。

圖2是表示一個實施方式的頂壁的表面的氣體排出孔的配置的一例的圖。

圖3是說明一個實施方式的氣體排出孔中的微波的表面波的反射的圖。

圖4表示一個實施方式的遮擋氣體排出孔時電場的測定結果的一例的圖。

圖5是表示一個實施方式的氣體排出孔的變形例的一例的圖。

附圖標記說明

1 處理容器

1a 電介質體窗部

2 微波等離子體源

3 控制裝置

10 蓋體

11 載置臺

22 氣體供給源

30 微波輸出部

40 微波傳送部

43a 周緣微波導入機構