[發明專利]等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 201811043173.6
• 申請日: 2018-09-07
• 公開（公告）號: CN109473332B
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發明（設計）人: 池田太郎;小松智仁;中入淳
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H05H1/46
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種使用微波將氣體等離子體化，在處理容器的內部對被處理體進行處理的等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

所述處理容器的微波導入面，其從微波導入部導入微波，使微波的表面波在表面傳播；和

多個氣體排出孔，其以規定間隔配置在從所述微波導入面和與該微波導入面鄰接的所述處理容器的面的邊界線起規定范圍內，

從所述邊界線起規定范圍內為從所述邊界線起2mm以內。

2.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述多個氣體排出孔以包圍所述微波導入部的方式設置。

3.如權利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述微波導入面是所述處理容器具有的頂壁的表面，

與所述微波導入面鄰接的所述處理容器的面是所述處理容器具有的側壁的表面，

所述多個氣體排出孔在從所述邊界線起2mm以內處貫通所述頂壁或者所述側壁。

4.如權利要求3所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述多個氣體排出孔以與所述邊界線相接的方式貫通所述頂壁或者所述側壁。

5.如權利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述規定間隔為等離子體中的微波的表面波波長λ的1/4以下。

6.如權利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述多個氣體排出孔的直徑為0.1mm～1mm。

7.如權利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

從所述多個氣體排出孔導入的氣體的流速為10(m/s)以上。

8.如權利要求7所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

從所述多個氣體排出孔導入的氣體的流速為100(m/s)以下。

9.如權利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

從所述多個氣體排出孔導入的氣體是不活潑氣體。

10.如權利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

在所述微波導入面涂敷有絕緣膜。

11.如權利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

利用從所述多個氣體排出孔導入的氣體，使在所述微波導入面傳播的微波的表面波反射。

12.如權利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

在所述多個氣體排出孔不與所述邊界線相接的情況下，所述多個氣體排出孔的外側的所述微波導入面或者與該微波導入面鄰接的處理容器的面呈直線或者曲線狀地傾斜。