[發明專利]制造半導體裝置的方法在審
| 申請號： | 201811042898.3 | 申請日： | 2018-09-07 |
| 公開（公告）號： | CN109585306A | 公開（公告）日： | 2019-04-05 |
| 發明（設計）人： | 房漢文;鐘嘉麒;許志賢;曾建華;吳建升;陳俊彥;黃天志;陳韋達;蘇雅屏 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/48 | 分類號： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 南京正聯知識產權代理有限公司 32243 | 代理人： | 顧伯興 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 減反射涂層 半導體裝置 導電墊 鈍化膜 襯底 圖案化 刻蝕 制造 暴露 | ||
【權利要求書】：
1.一種制造半導體裝置的方法，其特征在于，包括：
提供包括半導體裝置元件的襯底；
將所述襯底之上的頂部導電墊及減反射涂層圖案化，所述減反射涂層設置在所述頂部導電墊上；
在所述襯底及所述減反射涂層之上形成至少一個鈍化膜；以及
刻蝕所述至少一個鈍化膜及所述減反射涂層，以在所述至少一個鈍化膜及所述減反射涂層中形成凹槽來暴露出所述頂部導電墊。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
