[發明專利]電阻電路和可變增益放大電路

有效

• 申請號: 201811042171.5
• 申請日: 2018-09-07
• 公開（公告）號: CN110890868B
• 公開（公告）日: 2023-09-12
• 發明（設計）人: 譚磊
• 申請（專利權）人: 圣邦微電子（北京）股份有限公司
• 主分類號: H03F3/04
• 分類號: H03F3/04;H03G3/20
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;岳丹丹

本申請公開了一種電阻電路，其特征在于，包括：第一電阻和第一開關組成的串聯支路；第二電阻，與所述串聯支路并聯連接；以及控制模塊，用于向所述第一開關提供控制信號，其中，所述控制信號的占空比連續變化，所述第一開關根據所述控制信號導通或關斷，以在所述第二電阻兩端提供連續變化的等效電阻。可提供高線性而且連續平滑變化的可變電阻值。本申請同時公開了一種可變增益放大電路。

技術領域

本發明涉及集成電路設計領域，更具體地涉及一種電阻電路和可變增益放大電路。

背景技術

現有的電阻電路(Resistive?Circuit)可通過并聯多個固定電阻值的電阻器或者工作在線性區的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor?Field-Effect?Transistor，金屬-氧化層半導體場效晶體管)和PIN二極管(PIN?Diode)來實現。為了得到可變的電阻值，現有技術通常采用在并聯的電阻器之間連接多個開關組件，通過控制多個開關組件的開啟/閉合狀態來調整電阻電路的等效電阻值。也可以通過調節對MOSFET的偏置或者調節PIN二極管的正向偏置以控制夾層部分的電阻來提供可變電阻值。

然而，現有的電阻電路存在以下問題：采用調節MOSFET或者PIN二極管的偏置這種方法得到的等效可變電阻存在非線性誤差；采用多個并聯電阻器形成的可變電阻值不是連續變化的。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的在于提供一種電阻電路和可變增益放大電路，可提供高線性而且連續平滑變化的可變電阻值。

根據本發明的一方面提供一種電阻電路，其特征在于，包括：第一電阻和第一開關組成的串聯支路；第二電阻，與所述串聯支路并聯連接；以及控制模塊，用于向所述第一開關提供控制信號，其中，所述控制信號的占空比連續變化，所述第一開關根據所述控制信號導通或關斷，以在所述第二電阻兩端提供連續變化的等效電阻。

優選地，所述控制模塊包括：串聯連接在電源電壓與地之間的充電單元和放電單元；電容，第一端與所述充電單元和放電單元的中間節點連接，第二端接地，所述充電單元用于在第一周期對所述電容進行充電，所述放電單元用于在第二周期對所述電容進行放電；以及比較器，包括第一輸入端、第二輸入端、第三輸入端和輸出端，其中，所述比較器的第一輸入端與所述電容的第一端連接以接收電容電壓，第二輸入端用于接收第一閾值電壓，第三輸入端用于接收第二閾值電壓，輸出端用于提供所述控制信號。

優選地，所述比較器設置為：當所述電容電壓為所述第一閾值電壓時，所述比較器輸出第一電平的控制信號；當所述電容電壓為所述第二閾值電壓時，所述比較器輸出第二電平的控制信號，其中，當所述控制信號為所述第一電平時，所示第一開關關斷；當所述控制信號為所述第二電平時，所述第一開關導通。

優選地，所述第一閾值電壓為連續變化的模擬信號。

優選地，所述充電單元包括第一電流源和第二開關，所述放電開關包括第二電流源，其中，所述第一電流源、第二開關以及所述第二電流源串聯連接在所述電源電壓與地之間，所述第二開關和所述第二電流源的中間節點與所述電容的第一端連接，所述第二開關根據所述控制信號導通和關斷，在所述第一周期內，所述第二開關導通，以及在所述第二周期內所述第二開關關斷。

優選地，所述充電單元包括第一晶體管，所述放電單元包括第三電阻和第二晶體管，其中，所述第一晶體管、第三電阻以及所述第二晶體管串聯連接在所述電源電壓與地之間，所述第一晶體管和所述第三電阻的中間節點與所述電容的第一端連接，所述第一晶體管的控制端和所述第二晶體管的控制端相互連接以接收所述控制信號。

優選地，所述第一晶體管為NMOS管，所述第二晶體管為PMOS管。

優選地，所述比較器為窗口比較器。

優選地，所述第一周期和所述第二周期彼此不重疊。