[發(fā)明專利]電阻電路和可變增益放大電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811042171.5
• 申請日: 2018-09-07
• 公開（公告）號: CN110890868B
• 公開（公告）日: 2023-09-12
• 發(fā)明（設計）人: 譚磊
• 申請（專利權(quán)）人: 圣邦微電子（北京）股份有限公司
• 主分類號: H03F3/04
• 分類號: H03F3/04;H03G3/20
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;岳丹丹

1.一種電阻電路，其特征在于，包括：

第一電阻和第一開關(guān)組成的串聯(lián)支路；

第二電阻，與所述串聯(lián)支路并聯(lián)連接；以及

控制模塊，用于向所述第一開關(guān)提供控制信號，

其中，所述控制信號的占空比連續(xù)變化，所述第一開關(guān)根據(jù)所述控制信號導通或關(guān)斷，以在所述第二電阻兩端提供連續(xù)變化的等效電阻，

所述控制模塊包括：

串聯(lián)連接在電源電壓與地之間的充電單元和放電單元；

電容，第一端與所述充電單元和放電單元的中間節(jié)點連接，第二端接地，

所述充電單元用于在第一周期對所述電容進行充電，

所述放電單元用于在第二周期對所述電容進行放電；以及

比較器，包括第一輸入端、第二輸入端、第三輸入端和輸出端，

其中，所述比較器的第一輸入端與所述電容的第一端連接以接收電容電壓，第二輸入端用于接收第一閾值電壓，第三輸入端用于接收第二閾值電壓，輸出端用于提供所述控制信號。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻電路，其特征在于，所述比較器設置為：

當所述電容電壓為所述第一閾值電壓時，所述比較器輸出第一電平的控制信號；

當所述電容電壓為所述第二閾值電壓時，所述比較器輸出第二電平的控制信號，

其中，當所述控制信號為所述第一電平時，所示第一開關(guān)關(guān)斷；當所述控制信號為所述第二電平時，所述第一開關(guān)導通。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電阻電路，其特征在于，所述第一閾值電壓為連續(xù)變化的模擬信號。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻電路，其特征在于，所述充電單元包括第一電流源和第二開關(guān)，所述放電單元包括第二電流源，其中，所述第一電流源、第二開關(guān)以及所述第二電流源串聯(lián)連接在所述電源電壓與地之間，

所述第二開關(guān)和所述第二電流源的中間節(jié)點與所述電容的第一端連接，

所述第二開關(guān)根據(jù)所述控制信號導通和關(guān)斷，在所述第一周期內(nèi)，所述第二開關(guān)導通，以及在所述第二周期內(nèi)所述第二開關(guān)關(guān)斷。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻電路，其特征在于，所述充電單元包括第一晶體管，所述放電單元包括第三電阻和第二晶體管，

其中，所述第一晶體管、第三電阻以及所述第二晶體管串聯(lián)連接在所述電源電壓與地之間，

所述第一晶體管和所述第三電阻的中間節(jié)點與所述電容的第一端連接，

所述第一晶體管的控制端和所述第二晶體管的控制端相互連接以接收所述控制信號。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電阻電路，其特征在于，所述第一晶體管為NMOS管，所述第二晶體管為PMOS管。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻電路，其特征在于，所述比較器為窗口比較器。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻電路，其特征在于，所述第一開關(guān)選自機電開關(guān)、金屬氧化物半導體場效應管、互補金屬氧化物半導體或雙極型晶體管中的一種。

9.一種可變增益放大電路，用于放大輸入電壓信號以產(chǎn)生輸出電壓信號，其特征在于，包括：

放大器，包括第一輸入端，第二輸入端以及輸出端；以及

權(quán)利要求1-8任一項所述的電阻電路，

其中，所述放大器的第一輸入端用于接收所述輸入電壓信號，輸出端用于提供所述輸出電壓信號，所述電阻電路耦接于所述放大器的輸出端和第二輸入端之間，用于提供連續(xù)變化的等效電阻。