[發明專利]半導體裝置結構

在審

• 申請號: 201811041594.5
• 申請日: 2018-09-07
• 公開（公告）號: CN109768028A
• 公開（公告）日: 2019-05-17
• 發明（設計）人: 薛琇文;陳郁翔;黃文社;陳啟平;陳萬得
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

提供一種半導體裝置結構。半導體裝置結構包含半導體基底及在半導體基底上的第一電阻元件和第二電阻元件。半導體裝置結構亦包含電性連接至第一電阻元件的第一導電部件和電性連接至第二電阻元件的第二導電部件。半導體裝置結構還包含圍繞第一導電部件和第二導電部件的介電層。

技術領域

本發明實施例涉及半導體裝置結構，特別涉及具有電阻元件的半導體裝置結構。

背景技術

半導體集成電路(integrated circuit，IC)產業已經歷快速成長。集成電路的材料和設計上的技術發展已經生產好幾世代的集成電路。每一世代都具有比前一世代更小和更復雜的電路。

在集成電路發展的過程中，當幾何尺寸(亦即，使用制造工藝可以產生的最小元件(或線路))減小的同時，功能密度(亦即，每芯片面積的互連裝置的數量)通常也增加。這個尺寸縮減工藝通常通過增加生產效率和降低相關成本而提供許多好處。

然而，這些發展已增加工藝和制造集成電路的復雜度。由于部件尺寸持續縮小，制造工藝持續變得更難以執行。因此，在越來越小的尺寸中形成可靠的半導體裝置是項挑戰。

發明內容

根據一些實施例，提供一種半導體裝置結構。半導體裝置結構包含半導體基底及在半導體基底上的第一電阻元件和第二電阻元件。半導體裝置結構亦包含電性連接至第一電阻元件的第一導電部件和電性連接至第二電阻元件的第二導電部件。半導體裝置結構還包含圍繞第一導電部件和第二導電部件的介電層。

根據一些實施例，提供一種半導體裝置結構。一種半導體裝置結構，包括半導體基底和在半導體基底上的第一電阻元件。半導體裝置結構也包含在第一電阻元件上的第二電阻元件，且第一電阻元件大于第二電阻元件。半導體裝置結構還包含在第一電阻元件和第二電阻元件之間的介電層。

根據一些實施例，提供一種半導體裝置結構。半導體裝置結構包含半導體基底及在半導體基底上的第一電阻元件和第二電阻元件。第二電阻元件的頂面與第一電阻元件的頂面等高，或第二電阻元件的頂面高于第一電阻元件的頂面。半導體裝置結構也包含在第一電阻元件和第二電阻元件之間的介電層。

附圖說明

通過以下的詳細描述配合說明書附圖，可以更加理解本發明實施例的內容。需強調的是，根據產業上的標準慣例，許多部件(feature)并未按照比例繪制。事實上，為了能清楚地討論，各種部件的尺寸可能被任意地增加或減少。

圖1A至1I是根據一些實施例的半導體裝置結構的形成工藝的各個階段的剖面圖。

圖2是根據一些實施例的半導體裝置結構的上視圖。

圖3A至3H是根據一些實施例的半導體裝置結構的形成工藝的各個階段的剖面圖。

圖4A至4F是根據一些實施例的半導體裝置結構的形成工藝的各個階段的剖面圖。

圖5是根據一些實施例的半導體裝置結構的剖面圖。

圖6是根據一些實施例的半導體裝置結構的剖面圖。

圖7是根據一些實施例的半導體裝置結構的剖面圖。

符號說明

100、300、400 半導體基底；

102、108、114、128、302、308、314、314’、314”、322、402、408、414、420 介電層；

104、116、130、304、324、404、422 阻障層；

106、306、406 導電部件；

110、122、310、318、410、416 電阻層；