[發(fā)明專利]一種低電壓倍增型彩色有機(jī)光電探測器及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811037852.2 | 申請日: | 2018-09-06 |
| 公開(公告)號: | CN109148691B | 公開(公告)日: | 2022-09-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 安濤;龔偉;張俊 | 申請(專利權(quán))人: | 西安理工大學(xué) |
| 主分類號: | H01L51/42 | 分類號: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司: | 西安弘理專利事務(wù)所 61214 | 代理人: | 韓玙 |
| 地址: | 710048*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電壓 倍增 彩色 有機(jī) 光電 探測器 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種低電壓倍增型彩色有機(jī)光電探測器,包括ITO玻璃基片,ITO玻璃基片的一個表面上依次涂覆有陽極緩沖層、活性層及Al電極層。本發(fā)明還公開了一種低電壓倍增型彩色有機(jī)光電探測器的制備方法,按照在玻璃基片上鍍ITO電極層、在吹干后的ITO電極層上涂覆陽極緩沖層、在陽極緩沖層上涂覆活性層和在活性層上真空蒸鍍Al電極層,退火,溫度降至室溫得到步驟。本發(fā)明的探測器工作電壓低,外量子效率高,比探測率高,本發(fā)明的探測器的制備方法,工藝簡單,對于設(shè)備的要求低。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于有機(jī)半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種低電壓倍增型彩色有機(jī)光電探測器,本發(fā)明還涉及一種低電壓倍增型彩色有機(jī)光電探測器的制備方法。
背景技術(shù)
有機(jī)光電材料具有重量輕、制備工藝簡單、易于加工成大面積、成本低以及響應(yīng)光譜范圍廣、光吸收系數(shù)大等優(yōu)點(diǎn),可廣泛應(yīng)用于光電探測器。研發(fā)新的器件結(jié)構(gòu)及其制造方法是提高光電探測器光響應(yīng)度、量子效率、比探測率關(guān)鍵技術(shù)。
常規(guī)結(jié)構(gòu)有機(jī)光電探測器雖具有較低的工作電壓,然而,由于外量子效率低(一般小于100%),比探測率不高,限制著探測器在弱光條件下的應(yīng)用因此,提高有機(jī)探測器探測能力至關(guān)重要。近幾年人們利用電子陷阱輔助作用以及倒裝器件結(jié)構(gòu),引入外電路電荷注入提高有機(jī)探測器的探測率。目前報道的幾種探測器雖然在一些單色光下獲得了高的光響應(yīng)及比探測率,但是仍然存在著工作電壓過高、三基色不全、結(jié)構(gòu)復(fù)雜等問題。為了解決上述問題,本專利給出一種具有低工作電壓,高光敏度(R)、高外量子效率(EQE)、高比探測率(D*),且工藝簡單的倍增型彩色有機(jī)光電探測器。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的是提供一種低電壓倍增型彩色有機(jī)光電探測器,工作電壓低,外量子效率高,比探測率高。
本發(fā)明的另一個目的是提供低電壓倍增型彩色有機(jī)光電探測器的制備方法,制備方法簡單,對設(shè)備要求低。
本發(fā)明采用的第一種技術(shù)方案是,一種低電壓倍增型彩色有機(jī)光電探測器,包括ITO玻璃基片, ITO玻璃基片的一個表面上依次涂覆有陽極緩沖層、活性層及Al電極層。
本發(fā)明第一種技術(shù)方案的特點(diǎn)在于:
陽極緩沖層為PEDOT:PSS層,且陽極緩沖層的厚度為32nm~38nm。
活性層為由P3HT、PBDTTT-F、PC61BM與C60構(gòu)成的復(fù)合層,所述活性層的厚度為190nm~210nm。
P3HT與PBDTTT-F的質(zhì)量比為11.8-12.2:7.8-8.2,P3HT與PC61BM的質(zhì)量比為11.8-12.2:2.8-3.2,P3HT與C60的質(zhì)量比為11.8-12.2:0-0.5。
Al電極層的厚度為90 nm -110nm。
本發(fā)明采用的另一種技術(shù)方案是,一種低電壓倍增型彩色有機(jī)光電探測器的制備方法,具體按照下述步驟進(jìn)行:
步驟1,在玻璃基片上鍍ITO電極層,清洗,吹干;
步驟2,在吹干后的ITO電極層上涂覆陽極緩沖層;
步驟3,在陽極緩沖層上涂覆活性層;
步驟4,在活性層上真空蒸鍍Al電極層,退火,溫度降至室溫,得到低電壓倍增型彩色有機(jī)光電探測器。
本發(fā)明另一種技術(shù)方案的特點(diǎn)還在于:
步驟1中在在玻璃基片上鍍ITO電極層后,對ITO電極層進(jìn)行掩膜、圖形刻蝕,然后再進(jìn)行沖洗,吹干。
步驟2具體按照下述方法進(jìn)行:
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
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