[發(fā)明專利]一種低電壓倍增型彩色有機(jī)光電探測(cè)器及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811037852.2
• 申請(qǐng)日: 2018-09-06
• 公開（公告）號(hào): CN109148691B
• 公開（公告）日: 2022-09-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 安濤;龔偉;張俊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安理工大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L51/42
• 分類號(hào): H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
• 代理公司: 西安弘理專利事務(wù)所 61214
• 代理人: 韓玙

1.一種低電壓倍增型彩色有機(jī)光電探測(cè)器，其特征在于，包括ITO玻璃基片（1），所述ITO玻璃基片（1）的一個(gè)表面上依次涂覆有陽極緩沖層（2）、活性層（3）及Al電極層（4），所述陽極緩沖層（2）為PEDOT:PSS層，且陽極緩沖層（2）的厚度為32nm~38nm，所述活性層（3）為由P3HT、PBDTTT-F、PC₆₁BM與C₆₀構(gòu)成的復(fù)合層，所述活性層（3）的厚度為190nm~210nm，所述P3HT與PBDTTT-F的質(zhì)量比為11.8-12.2:7.8-8.2，P3HT與PC₆₁BM的質(zhì)量比為11.8-12.2:2.8-3.2，P3HT與C₆₀的質(zhì)量比為11.8-12.2:0.1-0.5，所述Al電極層（4）的厚度為90 nm -110nm。

2.一種低電壓倍增型彩色有機(jī)光電探測(cè)器的制備方法，其特征在于，具體按照下述步驟進(jìn)行：

步驟1，在玻璃基片上鍍ITO電極層，清洗，吹干；

步驟2，在吹干后的ITO電極層上涂覆陽極緩沖層（2）；具體按照下述方法進(jìn)行：

將PEDOT:PSS以3300rpm-3700 rpm的速度旋涂在吹干后的ITO電極層上，旋涂的時(shí)間為50s-70s，然后在95℃-105℃的數(shù)控加熱板上退火10min~15min；

步驟3，在陽極緩沖層（2）上涂覆活性層（3）；具體按照下述方法進(jìn)行：

步驟3.1，稱取P3HT、PBDTTT-F、PC₆₁BM和C₆₀，其中P3HT與PBDTTT-F的質(zhì)量比為11.8-12.2:7.8-8.2，P3HT與PC₆₁BM的質(zhì)量比為11.8-12.2:2.8-3.2，P3HT與C₆₀的質(zhì)量比為11.8-12.2:0.1-0.5；

步驟3.2，將稱取的P3HT、PBDTTT-F、PC₆₁BM和C₆₀均溶于1ml氯苯，然后在室溫下用恒溫磁力攪拌器充分?jǐn)嚢?5h，得到活性層溶液；

步驟3.3，將所述活性層溶液以570rpm-630 rpm的速度旋涂于陽極緩沖層（2）上，旋涂時(shí)間為50s-70s；

步驟3.4，在90℃~100℃的數(shù)控加熱板上退火20min；

步驟4，在活性層（3）上真空蒸鍍Al電極層（4），退火，溫度降至室溫，得到低電壓倍增型彩色有機(jī)光電探測(cè)器；

真空蒸鍍由微型石英震蕩儀監(jiān)控，控制真空蒸鍍的速率為0.3nm·s^?1，同時(shí)控制蒸鍍的Al電極層（4）的厚度為90nm-110 nm；步驟4中的在真空中在105℃~115℃的溫度下退火15min~20min。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種低電壓倍增型彩色有機(jī)光電探測(cè)器的制備方法，其特征在于，所述步驟1中在玻璃基片上鍍ITO電極層后，對(duì)ITO電極層進(jìn)行掩膜、圖形刻蝕，然后再進(jìn)行沖洗，吹干。