[發明專利]一種低電壓倍增型彩色有機光電探測器及其制備方法有效
| 申請號: | 201811037852.2 | 申請日: | 2018-09-06 |
| 公開(公告)號: | CN109148691B | 公開(公告)日: | 2022-09-23 |
| 發明(設計)人: | 安濤;龔偉;張俊 | 申請(專利權)人: | 西安理工大學 |
| 主分類號: | H01L51/42 | 分類號: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司: | 西安弘理專利事務所 61214 | 代理人: | 韓玙 |
| 地址: | 710048*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電壓 倍增 彩色 有機 光電 探測器 及其 制備 方法 | ||
1.一種低電壓倍增型彩色有機光電探測器,其特征在于,包括ITO玻璃基片(1),所述ITO玻璃基片(1)的一個表面上依次涂覆有陽極緩沖層(2)、活性層(3)及Al電極層(4),所述陽極緩沖層(2)為PEDOT:PSS層,且陽極緩沖層(2)的厚度為32nm~38nm,所述活性層(3)為由P3HT、PBDTTT-F、PC61BM與C60構成的復合層,所述活性層(3)的厚度為190nm~210nm,所述P3HT與PBDTTT-F的質量比為11.8-12.2:7.8-8.2,P3HT與PC61BM的質量比為11.8-12.2:2.8-3.2,P3HT與C60的質量比為11.8-12.2:0.1-0.5,所述Al電極層(4)的厚度為90 nm -110nm。
2.一種低電壓倍增型彩色有機光電探測器的制備方法,其特征在于,具體按照下述步驟進行:
步驟1,在玻璃基片上鍍ITO電極層,清洗,吹干;
步驟2,在吹干后的ITO電極層上涂覆陽極緩沖層(2);具體按照下述方法進行:
將PEDOT:PSS以3300rpm-3700 rpm的速度旋涂在吹干后的ITO電極層上,旋涂的時間為50s-70s,然后在95℃-105℃的數控加熱板上退火10min~15min;
步驟3,在陽極緩沖層(2)上涂覆活性層(3);具體按照下述方法進行:
步驟3.1,稱取P3HT、PBDTTT-F、PC61BM和C60,其中P3HT與PBDTTT-F的質量比為11.8-12.2:7.8-8.2,P3HT與PC61BM的質量比為11.8-12.2:2.8-3.2,P3HT與C60的質量比為11.8-12.2:0.1-0.5;
步驟3.2,將稱取的P3HT、PBDTTT-F、PC61BM和C60均溶于1ml氯苯,然后在室溫下用恒溫磁力攪拌器充分攪拌15h,得到活性層溶液;
步驟3.3,將所述活性層溶液以570rpm-630 rpm的速度旋涂于陽極緩沖層(2)上,旋涂時間為50s-70s;
步驟3.4,在90℃~100℃的數控加熱板上退火20min;
步驟4,在活性層(3)上真空蒸鍍Al電極層(4),退火,溫度降至室溫,得到低電壓倍增型彩色有機光電探測器;
真空蒸鍍由微型石英震蕩儀監控,控制真空蒸鍍的速率為0.3nm·s?1,同時控制蒸鍍的Al電極層(4)的厚度為90nm-110 nm;步驟4中的在真空中在105℃~115℃的溫度下退火15min~20min。
3.根據權利要求2所述的一種低電壓倍增型彩色有機光電探測器的制備方法,其特征在于,所述步驟1中在玻璃基片上鍍ITO電極層后,對ITO電極層進行掩膜、圖形刻蝕,然后再進行沖洗,吹干。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西安理工大學,未經西安理工大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811037852.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





