[發(fā)明專利]顯示基板及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811037594.8
• 申請(qǐng)日: 2018-09-06
• 公開（公告）號(hào): CN109192762B
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉文渠;張鋒;姚琪;呂志軍;董立文;張世政;黨寧;宋曉欣;崔釗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32
• 代理公司: 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 劉小鶴

本發(fā)明公開了一種顯示基板及其制造方法、顯示裝置，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。該顯示基板可以包括：設(shè)置在襯底基板上的多個(gè)像素單元；設(shè)置在該多個(gè)像素單元遠(yuǎn)離襯底基板一側(cè)的封裝層；設(shè)置在該封裝層遠(yuǎn)離襯底基板一側(cè)的導(dǎo)電膜層；以及設(shè)置在該導(dǎo)電膜層遠(yuǎn)離襯底基板一側(cè)的保護(hù)膜層。由于該顯示基板還包括設(shè)置在封裝層和保護(hù)膜層之間的導(dǎo)電膜層。當(dāng)保護(hù)膜層被撕裂時(shí)，由于摩擦作用產(chǎn)生的靜電釋放現(xiàn)象帶來(lái)的電子可以釋放至該導(dǎo)電膜層。避免了在撕裂保護(hù)膜層時(shí)，電子躍遷至顯示基板中晶體管的有源層，導(dǎo)致晶體管的閾值電壓發(fā)生偏移的問(wèn)題。本發(fā)明提供的顯示基板顯示亮度均一性較好。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種顯示基板及其制造方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

低溫多晶硅氧化物(Low Temperature Polycrystalline Oxide，LTPO)顯示基板，是一種同時(shí)采用低溫多晶硅(Low Temperature Polycrystalline，LTPS)薄膜晶體管(ThinFilm Transistor，TFT)和氧化物(Oxide)TFT制造的顯示基板。

相關(guān)技術(shù)中，LTPO顯示基板包括：在LTPO背板上形成的TFT和有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(Active Matrix Oxide Light Emitting Diode，AMOLED)，在形成有TFT和AMOLED的LTPO背板上依次層疊形成的封裝層，在遠(yuǎn)離該封裝層的一側(cè)形成的保護(hù)膜層。

但是，在將顯示基板中的信號(hào)線與驅(qū)動(dòng)該顯示基板工作的驅(qū)動(dòng)芯片進(jìn)行綁定之前，需要將該保護(hù)膜層撕裂，使得信號(hào)線裸露出來(lái)。而在撕裂該保護(hù)膜層時(shí)，由于摩擦作用會(huì)出現(xiàn)靜電釋放(Electro Static Discharge，ESD)現(xiàn)象，電子可能會(huì)躍遷至LTPO背板中TFT的有源層，改變有源層的電阻值，從而導(dǎo)致LTPO背板中的TFT的閾值電壓發(fā)生偏移，影響該顯示基板的顯示亮度均一性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示基板及其制造方法、顯示裝置，可以解決相關(guān)技術(shù)中顯示基板的顯示亮度均一性較差的問(wèn)題。所述技術(shù)方案如下：

第一方面，提供了一種顯示基板，所述顯示基板包括：

設(shè)置在襯底基板上的多個(gè)像素單元；

設(shè)置在所述多個(gè)像素單元遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的封裝層；

設(shè)置在所述封裝層遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的導(dǎo)電膜層；

以及設(shè)置在所述導(dǎo)電膜層遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的保護(hù)膜層。

可選的，所述導(dǎo)電膜層為透明導(dǎo)電膜層。

可選的，所述透明導(dǎo)電膜層整層覆蓋在所述封裝層的表面。

可選的，所述導(dǎo)電膜層在所述襯底基板上的正投影與每個(gè)所述像素單元的發(fā)光區(qū)域均不重疊。

可選的，所述封裝層，包括：

依次層疊設(shè)置的多個(gè)封裝層，任意兩個(gè)封裝層的材料不同。

可選的，所述封裝層，包括：

依次層疊設(shè)置的第一封裝層和第二封裝層，所述第一封裝層由氮氧化硅材料制成，所述第二封裝層由氮化硅材料制成。

可選的，所述封裝層，包括：

依次層疊設(shè)置的第一封裝層、第三封裝層和第二封裝層，所述第一封裝層由氮氧化硅材料制成，所述第二封裝層由氮化硅材料制成，所述第三封裝層由有機(jī)材料制成。

可選的，所述透明導(dǎo)電膜層由氧化銦錫材料制成。

可選的，所述導(dǎo)電膜層的厚度為700埃。

第二方面，提供了一種顯示基板的制造方法，所述方法包括：