[發(fā)明專利]具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811037270.4
• 申請(qǐng)日: 2018-09-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110880472A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-03-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/762
• 分類號(hào): H01L21/762;H01L27/108
• 代理公司: 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 袁禮君;闞梓瑄

1.一種具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

襯底，其上設(shè)置有至少一個(gè)溝槽；

緩沖層，設(shè)于所述溝槽的槽壁；

絕緣介質(zhì)層，設(shè)于所述緩沖層的表面，并將所述溝槽填滿。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述緩沖層包括：

第一緩沖薄層，設(shè)于所述溝槽的槽壁；

第二緩沖薄層，設(shè)于所述第一緩沖薄層與所述絕緣介質(zhì)層之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一緩沖薄層的厚度大于等于5nm且小于等于30nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二緩沖薄層的厚度大于等于10nm且小于等于100nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一緩沖薄層為氧化硅、多晶硅、氮氧化硅中的一種或多種。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二緩沖薄層為氧化硅、多晶硅、氮氧化硅中的一種或多種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述絕緣介質(zhì)層為氮化硅、氮氧化硅中的一種或兩種。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述絕緣介質(zhì)層的厚度大于等于10nm且小于等于200nm。

9.一種具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底，并在所述襯底上形成至少一個(gè)溝槽；

在所述溝槽的槽壁形成緩沖層；

在所述緩沖層的表面形成絕緣介質(zhì)層，所述絕緣介質(zhì)層將所述溝槽填滿。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，在所述溝槽的槽壁形成緩沖層，包括：

在所述溝槽的槽壁形成多晶硅層；

在所述多晶硅層的表面形成第一氧化硅層；

對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行原位水汽生成工藝處理形成第二氧化硅層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述多晶硅層的厚度大于等于5nm且小于等于30nm。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述第一氧化硅層的厚度大于等于10nm且小于等于100nm。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，通過(guò)低壓化學(xué)氣相沉積法形成所述多晶硅層，反應(yīng)溫度大于等于400℃且小于等于800℃。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，通過(guò)原子層沉積法形成所述第一氧化硅層，反應(yīng)溫度大于等于500℃且小于等于1000℃。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，原位水汽生成工藝處理的反應(yīng)溫度大于等于900℃且小于等于1100℃。

16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，通過(guò)原子層沉積法或流體化學(xué)氣相沉積法形成所述多晶硅層，通過(guò)化學(xué)氣相淀積法或流體化學(xué)氣相沉積法形成所述第一氧化硅層。