[發明專利]半導體結構

在審

• 申請號: 201811036921.8
• 申請日: 2018-09-06
• 公開（公告）號: CN109801966A
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: 黃士文;柯忠廷;柯宏憲;林嘉慧;黃泰鈞
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 鄭特強;黃艷

提供半導體結構與其形成方法。半導體結構包括柵極結構、柵極間隔物、源極/漏極結構、接點結構、粘著層、與阻障層。柵極結構位于鰭狀結構上。柵極間隔物位于鰭狀結構上與柵極結構的側壁表面上。源極/漏極結構位于鰭狀結構中并與柵極間隔物相鄰。接點結構位于源極/漏極結構上。粘著層覆蓋接點結構的下表面與側壁表面。阻障層圍繞接點結構的側壁表面。粘著層的下表面暴露至阻障層。

技術領域

本發明實施例一般關于半導體結構，更特別關于摻雜氟的阻障層。

背景技術

半導體集成電路產業已經歷快速成長。集成電路材料與設計的技術進展，使每一代的集成電路比前一代的集成電路具有更小且更復雜的電路。然而這些進展會增加工藝與形成集成電路的方法的復雜性。為實現這些進展，集成電路工藝與形成集成電路的方法亦需類似發展。在集成電路的演進中，功能密度(單位芯片面積的內連線裝置數目)通常隨著幾何尺寸(制作工藝所能產生的最小構件)縮小而增加。

除了材料與制作方法的突破性進展，縮小平面裝置如金屬氧化物半導體場效晶體管裝置證明為具有挑戰性。電路設計者為克服這些挑戰，尋求新的結構以改善效能，結果發展出三維設計如鰭狀場效晶體管。鰭狀場效晶體管具有細的鰭狀物或鰭狀結構，其自基板向上延伸。鰭狀場效晶體管的通道形成于此垂直鰭狀物中。柵極位于鰭狀物上，以由多個側邊控制通道。鰭狀場效晶體管的優點可包含減少短通道效應、降低漏電流、以及增加電流。

然而由于結構尺寸持續縮小，制作工藝也越來越難以進行。因此形成含有鰭狀場效晶體管的可信半導體結構面臨挑戰。

發明內容

本發明一實施例提供的半導體結構，包括：柵極結構，位于鰭狀結構上；柵極間隔物，位于鰭狀結構上與柵極結構的側壁表面上；源極/漏極結構，位于鰭狀結構中并與柵極間隔物相鄰；接點結構，位于源極/漏極結構上；粘著層，覆蓋接點結構的下表面與側壁表面；以及阻障層，圍繞接點結構的側壁表面，其中粘著層的下表面暴露至阻障層。

附圖說明

圖1是一些實施例中，簡化的鰭狀場效晶體管的三維圖。

圖2A至2F是一些實施例中，用于形成半導體裝置結構的工藝其多種階段的剖視圖，其沿著圖1的剖面A-A’。

圖3是一些實施例中，半導體裝置結構的剖視圖。

圖4是一些實施例中，半導體裝置結構的剖視圖。

圖5是一些實施例中，半導體裝置結構的剖視圖。

圖6A至6C是一些實施例中，用于形成半導體裝置結構的工藝其多種階段的剖視圖。

圖7是一些實施例中，半導體裝置結構的剖視圖。

附圖標記列表

A’ 剖面

D1、D2、D3 距離

200 基板

204 鰭狀結構

205、208、320A、320B、320C 上表面

206 隔離區

210、243A、243B、243C、246A、246B、246C、246D、321A、321B、 321C、331A、331B、331C、343A、343B、343C、346A、346B、346C、356A、 356B、356C 下表面

215A、215B、412 虛置柵極結構

218A、218B 柵極間隔物

220、220A、220B、220C 源極/漏極結構

221 接點蝕刻停止層