[發明專利]半導體結構在審
| 申請號： | 201811036921.8 | 申請日： | 2018-09-06 |
| 公開（公告）號： | CN109801966A | 公開（公告）日： | 2019-05-24 |
| 發明（設計）人： | 黃士文;柯忠廷;柯宏憲;林嘉慧;黃泰鈞 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 鄭特強;黃艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 接點結構 半導體結構 柵極間隔物 源極/漏極 側壁表面 柵極結構 鰭狀結構 粘著層 阻障層 下表面 暴露 覆蓋 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體結構，包括：
一柵極結構，位于一鰭狀結構上；
一柵極間隔物，位于該鰭狀結構上與該柵極結構的側壁表面上；
一源極/漏極結構，位于該鰭狀結構中并與該柵極間隔物相鄰；
一接點結構，位于該源極/漏極結構上；
一粘著層，覆蓋該接點結構的下表面與側壁表面；以及
一阻障層，圍繞該接點結構的側壁表面，其中該粘著層的下表面暴露至該阻障層。
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