[發明專利]狹縫結構及其制備方法、半導體存儲器件及制備方法

在審

• 申請號: 201811035859.0
• 申請日: 2018-09-06
• 公開（公告）號: CN110890312A
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發明（設計）人: 高瑋
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L29/423;H01L27/115
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種狹縫結構的制備方法，其特征在于，至少包括如下步驟：

S100，提供一襯底；

S200，在所述襯底上涂覆光刻膠層；

S300，在所述光刻膠層形成第一溝槽；

S400，沉積覆蓋所述光刻膠層及所述第一溝槽的側壁及底部的間隔層，形成第二溝槽，所述第二溝槽的寬度小于所述第一溝槽的寬度；

S500，對所述間隔層進行改性，使得間隔層不同區域具有不同的蝕刻速率；

S600，蝕刻改性后的所述間隔層，在所述襯底上形成狹縫結構，所述狹縫結構的寬度小于所述第一溝槽的寬度。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟S500，對所述間隔層進行改性包括在覆蓋所述第一溝槽的側壁及所述光刻膠層的間隔層部分和覆蓋所述第一溝槽底部的間隔層部分分別摻雜不同的離子。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟S500，對所述間隔層進行改性包括在所述間隔層中注入離子，并且控制覆蓋所述第一溝槽的側壁及所述光刻膠層的間隔層部分和覆蓋所述第一溝槽底部的間隔層部分分別具有不同的離子濃度。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟S500，對所述間隔層進行改性包括在所述覆蓋第一溝槽的側壁及所述光刻膠層的間隔層部分摻雜離子。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，以離子注入的方式對所述間隔層進行改性，所述離子的注入角度大于0°小于arc tan A/B，其中A是所述第二溝槽的深度，B是所述第二溝槽的寬度。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述離子注入的深度介于2nm～1000nm，強度介于2KeV～900KeV。

7.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，注入的所述離子包括硼離子或者磷離子。

8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述間隔層包括氧化硅層或氮化硅層。

9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟S600，蝕刻改性后的所述間隔層，在所述襯底上形成狹縫結構的步驟包括：

干法蝕刻改性后的所述間隔層；

蝕刻所述襯底形成狹縫結構。

10.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述蝕刻所述襯底形成狹縫結構后，還包括以下步驟：

去除所述覆蓋所述光刻膠層及所述第一溝槽的側壁及底部的間隔層；

去除所述光刻膠層。

11.根據權利要求1-10任意一項所述的制備方法，其特征在于：在所述襯底上涂覆光刻膠層之前還包括在所述襯底上形成半導體層的步驟。

12.根據權利要求11所述的制備方法，其特征在于：所述蝕刻改性后的所述間隔層，在所述襯底上形成狹縫結構的步驟中還包括對所述半導體層進行蝕刻的步驟。

13.根據權利要求1-10任意一項所述的制備方法，其特征在于：在所述襯底上涂覆光刻膠層之前還包括在所述襯底上形成硬掩模的步驟，所述硬掩模包括SiN、SiO₂、TaN和TiN中的一種或它們的組合。

14.根據權利要求13所述的制備方法，其特征在于：所述蝕刻改性后的所述間隔層，在所述襯底上形成狹縫結構的步驟中還包括：

蝕刻所述硬掩模，在所述硬掩模上形成第三溝槽；

蝕刻所述襯底，通過所述硬掩模將所述第三溝槽轉移到所述襯底上，形成狹縫結構。

15.一種狹縫結構，其特征在于，所述狹縫結構包括：

襯底，

所述襯底上具有多個狹縫結構，所述狹縫結構的深寬比介于1：500～500：1。