[發(fā)明專利]晶片的加工方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811035735.2
• 申請日: 2018-09-06
• 公開（公告）號: CN109473360B
• 公開（公告）日: 2023-07-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鈴木克彥;伴祐人
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/66;H01L21/67;H01L23/29;H01L23/31;B28D5/00;B28D7/00;B28D7/04;B24B7/22;B24B49/04
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 于靖帥;喬婉

提供晶片的加工方法，該方法包含：切削槽形成工序，從晶片的正面?zhèn)妊刂指铑A(yù)定線通過切削刀具形成深度相當(dāng)于器件芯片的完工厚度的切削槽；密封工序，利用密封材料將晶片的正面密封；對準(zhǔn)工序，通過紅外線拍攝構(gòu)件對晶片的正面?zhèn)冗M(jìn)行拍攝而檢測對準(zhǔn)標(biāo)記，根據(jù)對準(zhǔn)標(biāo)記來檢測應(yīng)進(jìn)行激光加工的分割預(yù)定線；改質(zhì)層形成工序，將對于密封材料具有透過性的波長的激光束的聚光點(diǎn)定位在切削槽中的密封材料的內(nèi)部而照射激光束而形成改質(zhì)層；磨削工序，從晶片的背面?zhèn)葘⒕ハ髦疗骷酒耐旯ず穸榷骨邢鞑壑械拿芊獠牧下冻觯缓头指罟ば颍瑢η邢鞑壑械拿芊獠牧腺x予外力而以改質(zhì)層為分割起點(diǎn)將該晶片分割成正面和4個側(cè)面被密封材料圍繞的各個器件芯片。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及晶片的加工方法，對晶片進(jìn)行加工而形成5S模制封裝。

背景技術(shù)

作為實(shí)現(xiàn)LSI或NAND型閃存等各種器件的小型化和高密度安裝化的構(gòu)造，例如，對器件芯片按照芯片尺寸進(jìn)行封裝而得的芯片尺寸封裝(CSP)已被用于實(shí)際的使用中，并被廣泛地使用于移動電話、智能手機(jī)等。此外，近年來，在該CSP中，開發(fā)并實(shí)用化了不僅利用密封材料將芯片的正面密封還將整個側(cè)面密封的CSP，即，所謂的5S模制封裝。

以往的5S模制封裝是通過以下工序制作的。

(1)在半導(dǎo)體晶片(以下，有時大致稱為晶片)的正面上形成被稱為器件(電路)和凸塊的外部連接端子。

(2)從晶片的正面?zhèn)妊刂指铑A(yù)定線對晶片進(jìn)行切削，形成深度相當(dāng)于器件芯片的完工厚度的切削槽。

(3)利用含有炭黑的密封材料將晶片的正面密封。

(4)將晶片的背面?zhèn)饶ハ鞯狡骷酒耐旯ず穸榷骨邢鞑壑械拿芊獠牧下冻觥?/p>

(5)由于晶片的正面被含有炭黑的密封材料密封，所以將晶片正面的外周部分的密封材料去除而使目標(biāo)圖案等對準(zhǔn)標(biāo)記露出，實(shí)施根據(jù)該對準(zhǔn)標(biāo)記來檢測待切削的分割預(yù)定線的對準(zhǔn)。

(6)根據(jù)對準(zhǔn)，從晶片的正面?zhèn)妊刂指铑A(yù)定線對晶片進(jìn)行切削，從而分割成正面和整個側(cè)面被密封材料密封的5S模制封裝。

如上述那樣，由于晶片的正面被包含炭黑的密封材料密封，所以形成于晶片正面的器件等完全無法用肉眼看到。為了解決該問題以便能夠進(jìn)行對準(zhǔn)，如上述(5)所記載的那樣，本申請人開發(fā)出如下的技術(shù)：將晶片正面的密封材料的外周部分去除而使目標(biāo)圖案等對準(zhǔn)標(biāo)記露出，根據(jù)該對準(zhǔn)標(biāo)記來檢測待切削的分割預(yù)定線，從而執(zhí)行對準(zhǔn)(參照日本特開2013-074021號公報和日本特開2016-015438號公報)。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2013-074021號公報

專利文獻(xiàn)2：日本特開2016-015438號公報

然而，在上述公開公報所記載的對準(zhǔn)方法中，需要代替切割用的切削刀具而將邊緣修整用的寬度較寬的切削刀具安裝于主軸從而將晶片的外周部分的密封材料去除的工序，切削刀具的更換和通過邊緣修整來去除外周部分的密封材料需要花費(fèi)時間和勞力，存在生產(chǎn)性較差的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是鑒于該點(diǎn)而完成的，其目的在于，提供能夠透過包覆于晶片正面的包含炭黑的密封材料來實(shí)施對準(zhǔn)工序的晶片的加工方法。