[發明專利]晶片的加工方法

有效

• 申請號: 201811035735.2
• 申請日: 2018-09-06
• 公開（公告）號: CN109473360B
• 公開（公告）日: 2023-07-14
• 發明（設計）人: 鈴木克彥;伴祐人
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/66;H01L21/67;H01L23/29;H01L23/31;B28D5/00;B28D7/00;B28D7/04;B24B7/22;B24B49/04
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 于靖帥;喬婉

1.一種晶片的加工方法，該晶片在由交叉形成的多條分割預定線劃分的正面的各區域內分別形成有器件，該器件具有多個凸塊，

該晶片的加工方法的特征在于，具有如下的工序：

第1對準工序，通過拍攝單元所具有的利用可見光進行拍攝的照相機對該晶片的正面側利用可見光進行拍攝而檢測對準標記，根據該對準標記來檢測待切削的該分割預定線；

切削槽形成工序，在實施了該第1對準工序之后，從該晶片的正面側沿著該分割預定線通過切削刀具來形成深度相當于器件芯片的完工厚度的切削槽；

密封工序，在實施了該切削槽形成工序之后，利用密封材料將該晶片的包含該切削槽的正面密封；

第2對準工序，在實施了該密封工序之后，通過該拍攝單元所具有的紅外線拍攝構件從該晶片的正面側透過該密封材料對該晶片的正面側進行拍攝而檢測對準標記，根據該對準標記來檢測應進行激光加工的該分割預定線；

改質層形成工序，在實施了該第2對準工序之后，將對于該密封材料具有透過性的波長的激光束的聚光點定位在該切削槽中的該密封材料的內部，從該晶片的正面側沿著該分割預定線照射激光束而在該切削槽中的該密封材料的內部形成改質層；

磨削工序，在實施了該改質層形成工序之后，從該晶片的背面側將該晶片磨削至該器件芯片的完工厚度而使該切削槽中的該密封材料露出；以及

分割工序，在實施了該磨削工序之后，對該切削槽中的該密封材料賦予外力而以該改質層為分割起點將該晶片分割成正面和4個側面被該密封材料圍繞的各個器件芯片，

在該密封工序中，通過具有使該紅外線拍攝構件所接受的紅外線透過的透過性的密封材料對該晶片的正面進行密封。

2.根據權利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

在所述對準工序中使用的所述紅外線拍攝構件包含InGaAs拍攝元件。