[發明專利]一種蒸發源及蒸鍍裝置

有效

• 申請號: 201811034845.7
• 申請日: 2018-09-05
• 公開（公告）號: CN109136855B
• 公開（公告）日: 2021-03-02
• 發明（設計）人: 裴鳳巍
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C14/26
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

本發明實施例提供一種蒸發源及蒸鍍裝置，涉及蒸鍍設備技術領域，能夠解決現有的蒸發源沿蒸鍍口的排布方向，膜層的厚度均一性較差的問題。所述蒸發源包括坩堝，坩堝的頂部設置有多個蒸鍍口，蒸發源還包括：旋轉裝置，設置于坩堝的底部，用于旋轉時帶動坩堝旋轉。本發明用于蒸鍍設備。

技術領域

本發明涉及蒸鍍設備技術領域，尤其涉及一種蒸發源及蒸鍍裝置。

背景技術

目前，真空蒸發鍍膜工藝在有機電致發光顯示裝置(Organic Electro-luminescent Display，簡稱OLED)、液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display，簡稱LCD)等的制作過程中被廣泛使用。真空蒸發鍍膜的基本原理是將鍍膜材料放置于蒸鍍裝置的蒸發源中加熱蒸發，形成的鍍膜材料的氣體分子或原子沉積到待鍍膜基板上形成膜層。

現有蒸鍍裝置的蒸發源常使用線性蒸發源，線性蒸發源的結構如圖1所示，包括坩堝01，坩堝01包括條狀的坩堝本體011、設置在坩堝本體011開口端的坩堝蓋子012。坩堝蓋子012上設置有沿坩堝本體011的延伸方向排布的多個蒸鍍口013。其中，坩堝本體011用于容納鍍膜材料，鍍膜材料蒸發后通過蒸鍍口013沉積在待鍍膜基板上，坩堝本體011內還設置有用于加熱鍍膜材料的加熱絲014。

在實際蒸鍍過程中，線性蒸發源采用來回掃描的方式進行掃描，形成的膜層厚度沿掃描方向均一性較好，但沿多個蒸鍍口013的排布方向膜層的厚度均一性一般較差，這可能是由于多個蒸鍍口013的口徑在設計時有差異所致，或者是鍍膜材料在蒸鍍過程中各位置受熱不均勻所致。這些都會導致從多個蒸鍍口013蒸發出的鍍膜材料的量不相同，進而導致沿多個蒸鍍口013的排布方向，膜層的厚度均一性較差。

發明內容

本發明的實施例提供一種蒸發源及蒸鍍裝置，能夠解決現有的蒸發源沿蒸鍍口的排布方向，膜層的厚度均一性較差的問題。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

一方面，本發明實施例提供一種蒸發源，包括坩堝，所述坩堝的頂部設置有多個蒸鍍口，所述蒸發源還包括：旋轉裝置，設置于所述坩堝的底部，用于旋轉時帶動所述坩堝旋轉。

可選的，所述坩堝包括一端開口的坩堝本體和用于封閉所述坩堝本體的開口端的坩堝蓋子，多個所述蒸鍍口設置在所述坩堝蓋子上。

可選的，所述坩堝本體為條狀，多個所述蒸鍍口沿所述坩堝本體的延伸方向排布在所述坩堝蓋子上。

可選的，所述蒸發源還包括承載槽，用于放置所述坩堝；所述承載槽與所述旋轉裝置固定連接。

可選的，所述坩堝本體卡入所述承載槽內。

可選的，所述承載槽上設置有第一連接部，所述旋轉裝置上設置有第二連接部；所述第一連接部與所述第二連接部配合連接。

可選的，所述第一連接部為凸起，所述第二連接部為凹槽；或者，所述第一連接部為凹槽，所述第二連接部為凸起。

可選的，所述凹槽的形狀和所述凸起的形狀均為十字型。

可選的，所述旋轉裝置包括旋轉盤和與所述旋轉盤連接的驅動件，所述驅動件用于驅動所述旋轉盤旋轉；所述旋轉盤與所述承載槽固定連接。

可選的，所述驅動件為電機。

可選的，所述旋轉盤為橢圓形，所述旋轉盤的長軸方向與所述坩堝本體的延伸方向相同。

可選的，所述蒸發源還包括底部加熱結構；所述底部加熱結構包括多個片狀加熱網，多個片狀加熱網兩兩交叉分布；所述片狀加熱網與所述坩堝本體的底面垂直，且所述片狀加熱網的網格延伸至所述坩堝本體的內側壁。