[發明專利]包括發光二極管的顯示裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201811031098.1 | 申請日: | 2018-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN109427824B | 公開(公告)日: | 2023-09-22 |
| 發明(設計)人: | 金載潤;辛榕燮 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 趙南;張帆 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 包括 發光二極管 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
本申請提供一種包括分別包含多個子像素的像素的顯示裝置,其包括:包括多個LED單元的LED陣列,所述多個LED單元設置在所述多個子像素中,所述多個LED單元被構造為發射具有基本相同的波長的光,每個LED單元具有第一表面和第二表面;包括多個TFT單元的TFT電路,每個TFT單元布置在所述多個LED單元中的一個LED單元的第一表面上,并且包括源極區和漏極區和柵電極;布置在所述多個LED單元中的一個LED單元的第二表面上的波長轉換圖案,波長轉換圖案包括量子點的合成物和/或聚合物,量子點被構造為發射的光的顏色與從其它波長轉換圖案的其它量子點發射的光的顏色不同;以及光阻擋壁,其布置在所述多個子像素中的兩個之間和波長轉換圖案之間,以將所述多個子像素分離。
相關申請的交叉引用
本申請要求于2017年9月5日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2017-0113362的優先權的利益,該申請的公開以引用方式全文并入本文中。
技術領域
本公開涉及一種包括發光二極管(LED)的顯示裝置。
背景技術
半導體發光二極管(LED)不僅用作用于照明裝置的光源,還用作用于各種電子產品的光源。例如,半導體LED通常用作用于諸如TV、移動電話、PC、筆記本計算機和個人數字助理(PDA)的各種裝置和家電的顯示面板的光源。
例如液晶顯示器(LCD)的相關技術的顯示裝置包括LCD面板和背光。然而,近來研發的顯示器不包括分離的背光,而是使用LED裝置作為單獨像素。與相關技術的LCD顯示器相比,這種顯示裝置可不僅緊湊而且實現具有更大的光效率的相對高亮度的顯示裝置。
發明內容
示例實施例可提供一種在晶圓等級上實現并且包括適于每個子像素的波長轉換裝置的顯示裝置。
根據示例實施例,一種顯示裝置包括:多個像素,每個像素包括多個子像素;發光二極管(LED)陣列,其包括多個LED單元,所述多個LED單元中的每一個設為所述多個子像素中的對應的一個子像素的一部分,所述多個LED單元被構造為發射具有基本相同的波長的光,所述多個LED單元中的每一個具有彼此相對的第一表面和第二表面;薄膜晶體管(TFT)電路,其包括多個TFT單元,所述多個TFT單元中的每一個布置在所述多個LED單元的對應的第一表面上,并且包括源極區和漏極區以及布置在源極區和漏極區之間的柵電極;波長轉換圖案,每個波長轉換圖案布置在所述多個LED單元的對應的第二表面上,每個波長轉換圖案包括量子點的合成物和/或聚合物,量子點被構造為發射與從所述多個子像素的其它子像素發射的光的顏色不同顏色的光;以及光阻擋壁,其布置在所述多個LED單元之間和波長轉換圖案之間,以將所述多個子像素分離。
根據示例實施例,一種顯示裝置包括:像素的陣列,每個像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素;多個LED單元,所述多個LED單元中的每一個形成第一子像素、第二子像素和第三子像素中的對應的一個的一部分,所述多個LED單元被構造為發射具有第一波長的光,所述多個LED單元中的每一個具有彼此相對的第一表面和第二表面;布置在所述多個LED單元的第一表面上的多個TFT單元,所述多個TFT單元中的每一個包括源極區和漏極區以及布置在源極區和漏極區之間的柵電極;在行方向上電連接所述多個TFT單元的源極區的多條數據線;在列方向上電連接所述多個TFT單元的柵電極柵極線;多個第一波長轉換圖案,每個第一波長轉換圖案布置在形成對應的一個第一子像素的對應的LED單元的第二表面上,每個第一波長轉換圖案包括第一量子點的合成物和/或聚合物,第一量子點被構造為將具有第一波長的光轉換為具有第二波長的光;以及多個第二波長轉換圖案,每個第二波長轉換圖案布置在形成對應的一個第二子像素的對應的LED單元的第二表面上,每個第二波長轉換圖案包括第二量子點的合成物和/或聚合物,第二量子點被構造為將具有第一波長的光轉換為具有第三波長的光。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





