[發明專利]包括發光二極管的顯示裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201811031098.1 | 申請日: | 2018-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN109427824B | 公開(公告)日: | 2023-09-22 |
| 發明(設計)人: | 金載潤;辛榕燮 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 趙南;張帆 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 包括 發光二極管 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
多個像素,每個像素包括多個子像素;
發光二極管陣列,其包括多個發光二極管單元,所述多個發光二極管單元中的每一個設為所述多個子像素中的對應的一個子像素的一部分,所述多個發光二極管單元被構造為發射具有實質上相同的波長的光,所述多個發光二極管單元中的每一個具有彼此相對的第一表面和第二表面;
薄膜晶體管電路,其包括多個薄膜晶體管單元,所述多個薄膜晶體管單元中的每一個布置在所述多個發光二極管單元的對應的第一表面上,并且包括源極區和漏極區以及布置在所述源極區和所述漏極區之間的柵電極;
波長轉換圖案,每個波長轉換圖案布置在所述多個發光二極管單元的對應的第二表面上,每個波長轉換圖案包括量子點的合成物,所述量子點被構造為發射與從所述多個子像素的其它子像素發射的光的顏色不同顏色的光;
絕緣膜,其布置在所述多個發光二極管單元中的每一個與所述多個薄膜晶體管單元中的每一個之間;以及
光阻擋壁,其布置在所述多個發光二極管單元之間和所述波長轉換圖案之間,以將所述多個子像素分離,
其中,所述光阻擋壁從所述波長轉換圖案之間連續形成到所述絕緣膜。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述多個子像素包括被構造為發射紅光的第一子像素、被構造為發射綠光的第二子像素和被構造為發射藍光的第三子像素。
3.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中,所述多個發光二極管單元被構造為發射紫外光或近紫外光,
其中,所述波長轉換圖案包括分別布置在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的第一波長轉換圖案、第二波長轉換圖案和第三波長轉換圖案,并且
其中,所述第一波長轉換圖案、所述第二波長轉換圖案和所述第三波長轉換圖案分別包括紅色量子點、綠色量子點和藍色量子點。
4.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中,所述多個發光二極管單元被構造為發射藍光,
其中,所述波長轉換圖案包括分別布置在所述第一子像素和所述第二子像素中的第一波長轉換圖案和第二波長轉換圖案,并且
其中,所述第一波長轉換圖案和所述第二波長轉換圖案分別包括紅色量子點和綠色量子點。
5.根據權利要求4所述的顯示裝置,其中,所述第三子像素包括透光圖案,所述透光圖案的厚度對應于布置在對應的發光二極管單元的第二表面上的第一波長轉換圖案和第二波長轉換圖案的厚度。
6.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述波長轉換圖案還包括聚合物。
7.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述波長轉換圖案包括從金屬氧化物顆粒、金屬顆粒和金屬氧化物顆粒與金屬顆粒的組合中選擇的光漫射器。
8.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述薄膜晶體管電路包括在行方向上電連接所述多個薄膜晶體管單元的源極區的多條數據線和在列方向上電連接所述多個薄膜晶體管單元的柵電極的柵極線。
9.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述光阻擋壁包括黑矩陣。
10.根據權利要求1所述的顯示裝置,還包括布置在所述多個發光二極管單元的第一表面上的柔性襯底。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





