[發(fā)明專利]成膜裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811029582.0 | 申請日: | 2018-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN109468609B | 公開(公告)日: | 2021-08-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 小野大祐;神戶優(yōu) | 申請(專利權(quán))人: | 芝浦機械電子裝置株式會社 |
| 主分類號: | C23C14/56 | 分類號: | C23C14/56;C23C14/34 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 楊貝貝;臧建明 |
| 地址: | 日本神奈川縣橫浜市榮區(qū)笠間二*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裝置 | ||
本發(fā)明提供一種能夠容易且正確地進行屏蔽構(gòu)件與工件的間隔的設(shè)定的成膜裝置。本發(fā)明具有:腔室(1),能夠使內(nèi)部為真空,并在上部具有能夠開閉的蓋體(1a);旋轉(zhuǎn)平臺(3),設(shè)于腔室(1)內(nèi),并以圓周的軌跡對工件(W)進行旋轉(zhuǎn)搬運;成膜部(4a~4g),通過濺射而使成膜材料堆積于由旋轉(zhuǎn)平臺(3)搬運的工件(W)以進行成膜;屏蔽構(gòu)件(9),在供工件(W)通過的一側(cè)具有開口(91),形成供利用成膜部(4a~4g)進行成膜的成膜室(S);以及支撐部(P),對屏蔽構(gòu)件(9)進行支撐,相對于腔室(1)為不動且獨立于蓋體(1a)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種成膜裝置。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體或顯示器(display)或者光盤(optical disk)等各種產(chǎn)品的制造工序中,有時要在例如晶片(wafer)或玻璃(glass)基板等工件(work)上形成光學(xué)膜等薄膜。薄膜可通過對工件形成金屬等的膜的成膜以及對所形成的膜反復(fù)進行蝕刻(etching)、氧化或氮化等膜處理而制作。
成膜及膜處理可利用各種方法來進行,作為其一,有使用等離子體的方法。在成膜時,向配置有靶材(target)的真空容器即腔室內(nèi)導(dǎo)入惰性氣體,并對靶材施加直流電壓。使等離子體化的惰性氣體的離子(ion)碰撞至靶材,使從靶材撞出的材料堆積于工件以進行成膜。在膜處理中,向配置有電極的腔室內(nèi)導(dǎo)入工藝氣體(process gas),對電極施加高頻電壓。使等離子體化的工藝氣體的離子碰撞至工件上的膜,由此進行膜處理。
有一種成膜裝置(例如參照專利文獻(xiàn)1),其在一個腔室的內(nèi)部安裝有旋轉(zhuǎn)平臺(table),并在腔室的頂面配置有多個成膜部及膜處理部,以便能夠連續(xù)地進行此種成膜與膜處理。由此,通過將工件保持于旋轉(zhuǎn)平臺上來搬運,并使其通過成膜部與膜處理部的正下方,從而可形成光學(xué)膜等。
[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[專利文獻(xiàn)]
[專利文獻(xiàn)1]日本專利第4428873號公報
發(fā)明內(nèi)容
[發(fā)明所要解決的問題]
在所述那樣的成膜裝置中,設(shè)有成膜部及膜處理部的腔室的頂面作為能夠開閉的蓋體的一部分來構(gòu)成。即,成膜部及膜處理部與蓋體一起拆裝自如地設(shè)于腔室。并且,在腔室內(nèi)與成膜部相對應(yīng)的位置上,通過屏蔽構(gòu)件而形成成膜室。成膜室是為了防止來自靶材的成膜材料飛散而附著于腔室內(nèi)壁或防止導(dǎo)入的惰性氣體流出等而設(shè)置。因此,屏蔽構(gòu)件與設(shè)于腔室的蓋體的靶材一起固定于腔室的蓋體。并且,為了容許工件通過,屏蔽構(gòu)件的緣部空開間隙而接近工件。為了極力減少成膜材料或惰性氣體的泄漏,優(yōu)選盡可能地減少屏蔽構(gòu)件與工件之間的間隙。例如,以屏蔽構(gòu)件的緣部與工件之間形成數(shù)mm程度的間隙的方式設(shè)定。
然而,在腔室抽真空時,因大氣壓,蓋體以向下方下沉的方式撓曲。于是,設(shè)于蓋體的屏蔽構(gòu)件與工件之間的間隔發(fā)生變化。因此,需要預(yù)先對屏蔽構(gòu)件的高度進行調(diào)整,以便在關(guān)閉蓋體進行了抽真空時屏蔽構(gòu)件不接觸工件而使間隙得以維持。但是,難以預(yù)想安裝于蓋體的屏蔽構(gòu)件在關(guān)閉了蓋體時相對于工件處于怎樣的位置來進行調(diào)整。
而且,成膜裝置因同時對多個半導(dǎo)體進行處理或?qū)Υ笮偷娘@示器進行處理等要求而整體的尺寸大型化。例如,有時腔室的直徑成為1m以上。此種腔室的蓋體為了抑制自身重量導(dǎo)致的撓曲而需要形成得比較厚,所以重量增加。此時,為了抑制成膜材料的附著帶來的膜的應(yīng)力導(dǎo)致的應(yīng)變或濺射時的熱變形,需要也對屏蔽構(gòu)件進行加厚以提高剛性。因此,腔室的上部的重量進一步增加。
將像這樣增加了重量的屏蔽構(gòu)件安裝于腔室的蓋體的作業(yè)無法由一個作業(yè)員來進行,而需要多個人員。而且,例如所述作業(yè)必須由作業(yè)員進入腔室內(nèi)來進行,非?;ㄙM功夫。并且,在蓋體及屏蔽構(gòu)件重的情況下,頻繁地反復(fù)從腔室拆裝蓋體來調(diào)整屏蔽構(gòu)件與工件之間的間隔會變得更難。
本發(fā)明的目的在于提供一種可容易且正確地進行屏蔽構(gòu)件與工件的間隔的設(shè)定的成膜裝置。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





