[發明專利]一種多晶硅熔絲結構的制造方法有效

申請號：	201811028941.0	申請日：	2016-12-02
公開（公告）號：	CN109411445B	公開（公告）日：	2020-08-21
發明（設計）人：	不公告發明人	申請（專利權）人：	樂清市風杰電子科技有限公司
主分類號：	H01L23/525	分類號：	H01L23/525
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地址：	325600 浙***	國省代碼：	浙江;33
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種多晶硅熔絲結構制造方法
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【權利要求書】：

1.一種多晶硅熔絲結構的制造方法，包括：

提供一襯底，并在該襯底上表面形成淺溝槽隔離溝槽；

在所述淺溝槽隔離溝槽中形成淺溝槽隔離結構，所述淺溝槽隔離結構的頂面高于所述襯底的上表面；

在所述淺溝槽隔離結構中形成一凹槽，所述凹槽的深度、寬度和長度均小于所述淺溝槽隔離結構；

在所述淺溝槽隔離結構的上表面以及凹槽中形成一可編程熔絲，所述可編程熔絲包括兩第一電極、分別連接兩第一電極的兩個第一垂直部分以及連接兩個第一垂直部分的第一水平部分；其中，兩第一電極位于所述淺溝槽隔離結構的上表面的兩端，兩個第一垂直部分沿著所述淺溝槽隔離結構的深度方向具有第一長度，所述第一水平部分被淺溝槽隔離結構的隔離材料覆蓋，且在所述淺溝槽隔離結構中具有第一深度；

在所述凹槽中沉積所述隔離材料形成一隔離材料層，所述隔離材料層至少覆蓋所述第一水平部分；

形成所述隔離材料層包括覆蓋所述第一水平部分以及所述兩個第一垂直部分的一部分，所述兩第一電極的寬度大于所述第一垂直部分和所述第一水平部分的寬度。

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