[發明專利]基板處理裝置、半導體裝置的制造方法以及存儲介質有效
| 申請號: | 201811028354.1 | 申請日: | 2018-09-04 |
| 公開(公告)號: | CN109560010B | 公開(公告)日: | 2022-12-16 |
| 發明(設計)人: | 林昭成 | 申請(專利權)人: | 株式會社國際電氣 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 張敬強;李平 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 半導體 制造 方法 以及 存儲 介質 | ||
本發明提供基板處理裝置、半導體裝置的制造方法以及存儲介質,能夠降低凈化移載室的惰性氣體的消耗量。在利用移載機從基板容納器向基板支撐件搬入基板結束而關閉閘門后,直至為了將處理完畢的基板從基板支撐件搬出至基板容納器而再次打開閘門之間的期間的至少一部分,惰性氣體供給器供給惰性氣體,在上述期間外,惰性氣體供給器不供給惰性氣體。清潔單元構成為可切換單通模式和循環模式,單通模式是將從裝置外獲取到的空氣清潔化并供給至移載室,并且將剩余的空氣排出至裝置外的模式,循環模式是將移載室內的環境氣體吸引并清潔化而供給至移載室的模式,在閘門打開的期間,通過作為空氣的環境氣體將移載室保持為正壓,并使空氣從移載室中向外流出。
技術領域
本發明涉及基板處理裝置、半導體裝置的制造方法以及存儲介質。
背景技術
在基板處理裝置設有用于將收納于晶盒的基板(晶圓)向基板保持件(晶舟)移載的移載室。移載室例如通過氮氣那樣的惰性氣體凈化,抑制在晶圓上生成自然氧化膜。
作為用惰性氣體凈化基板處理裝置的移載室的技術,具有日本特開2003-7802號公報(專利文獻1)、日本特開2007-95879號公報(專利文獻2)、日本特開2009-65113號公報(專利文獻3)等。
在用氮氣那樣的惰性氣體凈化移載室的情況下,具有希望削減氮氣的消耗量的需求。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2003-7802號公報
專利文獻2:日本特開2007-95879號公報
專利文獻3:日本特開2009-65113號公報
發明內容
發明所要解決的課題
本發明的課題在于提供能夠降低凈化基板處理裝置的移載室的氮氣那樣的惰性氣體的消耗量的技術。
其它的課題和新的特征根據本說明書的記載及附圖將變得明了。
用于解決課題的方案
若簡單地說明本發明中的代表性的技術的概要,則如下所述。
根據本發明的一方案,提供以下技術及使用該技術的方法,該技術具有:反應室,其將基板以載置于基板支撐件的狀態進行處理;移載室,其與上述反應室連接,且配置從上述反應室取出的上述基板支撐件;閘門,其對為了使上述基板在上述移載室的內外移動而設于上述移載室的開口進行開閉;緩沖架,其在上述移載室的外側以面向上述開口的方式設置,且保持基板容納器;移載機,其在上述緩沖架的上述基板容納器與上述基板支撐件之間搬送上述基板;清潔單元,其向上述移載室供給清潔的環境氣體;以及惰性氣體供給器,其向上述移載室供給惰性氣體,在完成了上述移載機進行的從上述基板容納器至上述基板支撐件的上述基板的搬入而上述閘門被關閉起,直至為了將處理完畢的上述基板從上述基板支撐件搬出至上述基板容納器而上述閘門再次被打開之間的至少一部分期間內,上述惰性氣體供給器供給上述惰性氣體,在上述期間外,上述惰性氣體供給器不供給上述惰性氣體,而且上述清潔單元構成為能夠切換單通模式和循環模式,在上述閘門打開的期間,通過作為空氣的環境氣體將上述移載室保持為正壓,并且使空氣從上述移載室中向外流出,其中,上述單通模式是將從裝置外獲取到的空氣清潔化并供給至上述移載室,并且將剩余的空氣排出至裝置外的模式,上述循環模式是將上述移載室內的環境氣體吸引并清潔化而供給至上述移載室的模式。
發明效果
根據本發明,能夠降低凈化移載室的氮氣那樣的惰性氣體的消耗量。
附圖說明
圖1是用于說明實施方式的基板處理裝置的圖。
圖2是用于說明實施方式的基板處理裝置的移載室與晶盒保持室之間的結構的圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





