[發明專利]基板處理裝置、半導體裝置的制造方法以及存儲介質

有效

• 申請號: 201811028354.1
• 申請日: 2018-09-04
• 公開（公告）號: CN109560010B
• 公開（公告）日: 2022-12-16
• 發明（設計）人: 林昭成
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 張敬強;李平

1.一種基板處理裝置，其特征在于，具有：

反應室，其將基板以載置于基板支撐件的狀態進行處理；

移載室，其與上述反應室連接，且配置從上述反應室取出的上述基板支撐件；

閘門，其對為了使上述基板在上述移載室的內外移動而設于上述移載室的開口進行開閉；

緩沖架，其在上述移載室的外側以面向上述開口的方式設置，且保持基板容納器；

移載機，其在上述緩沖架的上述基板容納器與上述基板支撐件之間搬送上述基板；

清潔單元，其向上述移載室供給清潔的環境氣體；

惰性氣體供給器，其向上述移載室供給惰性氣體；以及

控制部，其進行以下控制：

在完成了上述移載機進行的從上述基板容納器至上述基板支撐件的上述基板的搬入而上述閘門被關閉起，直至為了將處理完畢的上述基板從上述基板支撐件搬出至上述基板容納器而上述閘門再次被打開之間的至少一部分期間內，上述惰性氣體供給器供給上述惰性氣體，在上述期間外，上述惰性氣體供給器不供給上述惰性氣體，而且

上述清潔單元構成為能夠切換單通模式和循環模式，在上述閘門打開的期間，通過作為空氣的環境氣體將上述移載室保持為正壓，并且使空氣從上述移載室中向外流出，其中，上述單通模式是將從裝置外獲取到的空氣清潔化并供給至上述移載室，并且將剩余的空氣排出至裝置外的模式，上述循環模式是將上述移載室內的環境氣體吸引并清潔化而供給至上述移載室的模式。

2.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

在上述移載室處于預定的氧濃度以下的環境氣體的期間，進行上述基板支撐件的向上述反應室的插入及從上述反應室的取出。

3.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述清潔單元在成膜處理順序中依次將上述移載室切換為大氣環境、氮氣環境、大氣環境，在大氣環境下，至少在上述移載機工作的期間以能夠排出由上述移載機引起的顆粒的第一流量供給大氣，在氮氣環境下，以能夠將移載室保持為正壓的第二流量進行循環。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述清潔單元具有對向上述移載室供給的環境氣體或大氣進行冷卻的熱交換器，上述移載機設于移載室，在上述閘門打開的狀態下，實施將基板從設置于移載室外的基板容納器向上述基板支撐件的移載。

5.根據權利要求1～3中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，

在上述移載室的壁的最靠近上述移載機的位置沿上下方向排列設置多個上述開口，

上述閘門將多個上述開口一并進行開閉。

6.根據權利要求1～3中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，具備：

保持室，其經由上述開口而與上述移載室連接設置且容納上述緩沖架；以及

交接單元，其與上述保持室連接設置，且與上述基板處理裝置的外部交接上述基板容納器，

上述基板容納器是開放式晶盒，

上述交接單元對外部開放。