[發明專利]頂部與底部發光型微發光二極管顯示器及其形成方法

在審

• 申請號: 201811027497.0
• 申請日: 2018-09-04
• 公開（公告）號: CN110875346A
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發明（設計）人: 吳炳升;吳昭文
• 申請（專利權）人: 啟端光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/44;H01L33/48
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張琳

本發明是關于一種微發光二極管顯示器，包含第一主基板；多個微發光二極管，設于第一主基板之上；第一光阻斷層，設于第一主基板的上方，以定義多個發光區；導光層，設于該些發光區內；及多個連接結構，設于該些發光區內且分別電性連接于該些微發光二極管。

技術領域

本發明是有關一種發光二極管顯示器，特別是關于一種頂部發光型(topemission)微發光二極管顯示器與底部發光型(bottom emission)微發光二極管顯示器。

背景技術

微發光二極管(microLED、mLED或μLED)顯示面板為平板顯示器(flat paneldisplay)的一種，其是由尺寸等級為1～10微米的個別精微(microscopic)發光二極管所組成。相較于傳統液晶顯示面板，微發光二極管顯示面板具較大對比度及較快反應時間，且消耗較少功率。微發光二極管與有機發光二極管(OLED)雖然同樣具有低功耗的特性，但是，微發光二極管因為使用三-五族二極管技術(例如氮化鎵)，因此相較于有機發光二極管具有較高的亮度(brightness)、較高的發光效能(luminous efficacy)及較長的壽命。

使用薄膜晶體管(TFT)的主動驅動方式為一種普遍使用的驅動機制，其可以和微發光二極管結合以制造顯示面板。但是，薄膜晶體管使用的是互補金屬氧化物半導體(CMOS)制程，而微發光二極管則是使用覆晶(flip chip)技術，兩者會產生熱失配(thermalmismatch)問題，且薄膜晶體管的制程較為復雜。在低灰階顯示時，由于驅動電流很小，會受到微發光二極管的漏電流而影響灰階顯示。

被動驅動方式為另一種驅動機制。傳統的被動式驅動顯示面板，其列驅動電路與行驅動電路是設于顯示面板的邊緣。然而，當顯示面板的尺寸變大或者分辨率變高時，造成驅動器的輸出負載過大，過長的延遲時間使得顯示面板無法正常驅動。因此，被動式驅動機制無法適用于大尺寸的微發光二極管顯示面板。

因此，亟需提出一種新穎的微發光二極管顯示面板，特別是大尺寸或高分辨率的顯示面板，使其保有微發光二極管的優點且能改善傳統驅動機制的缺點。

由于相鄰微發光二極管之間的距離極小，很容易造成相鄰微發光二極管或相鄰像素之間的互相干擾，例如混色(color mixing)，且降低對比度(contrast ratio)。此外，微發光二極管需要借由連接導線與其他組件或電路作電性連接，這些連接導線通常包含不透明(opaque)材質或反射(reflective)材質，因此會造成不均勻(non-uniform)的顯示問題。

因此，亟需提出一種新穎的微發光二極管顯示器，用以改善傳統微發光二極管顯示器的發光效能。

發明內容

鑒于上述，本發明實施例的目的之一在于提出一種頂部發光型微發光二極管顯示器與底部發光型微發光二極管顯示器的結構與制造方法，有效避免干擾、混色或不均勻的顯示問題。

本發明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的。

根據本發明實施例之一，頂部發光型微發光二極管顯示器包含第一主基板；底共電極層，設于第一主基板的頂面；多個微發光二極管，設于底共電極層之上；第一光阻斷層，設于底共電極層的上方，以定義多個發光區；導光層，設于該些發光區內；及多個連接結構，設于該些發光區內且分別電性連接于該些微發光二極管。

所述的頂部發光型微發光二極管顯示器，其中該些連接結構具相同圖樣。

所述的頂部發光型微發光二極管顯示器，其中該些連接結構包含透明材質。

所述的頂部發光型微發光二極管顯示器，其中該些連接結構包含非透明材質。

所述的頂部發光型微發光二極管顯示器，其中該第一光阻斷層為黑矩陣。

所述的頂部發光型微發光二極管顯示器，其中該第一光阻斷層的厚度大于該導光層的厚度。