[發明專利]頂部與底部發光型微發光二極管顯示器及其形成方法在審
| 申請號: | 201811027497.0 | 申請日: | 2018-09-04 |
| 公開(公告)號: | CN110875346A | 公開(公告)日: | 2020-03-10 |
| 發明(設計)人: | 吳炳升;吳昭文 | 申請(專利權)人: | 啟端光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/44;H01L33/48 |
| 代理公司: | 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019 | 代理人: | 壽寧;張琳 |
| 地址: | 中國臺灣臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 頂部 底部 發光 發光二極管 顯示器 及其 形成 方法 | ||
1.一種頂部發光型微發光二極管顯示器,其特征在于,包含:
第一主基板;
底共電極層,設于該第一主基板的頂面;
多個微發光二極管,設于該底共電極層之上;
第一光阻斷層,設于該底共電極層的上方,以定義多個發光區;
導光層,設于該些發光區內;及
多個連接結構,設于該些發光區內且分別電性連接于該些微發光二極管。
2.根據權利要求1所述的頂部發光型微發光二極管顯示器,其特征在于,其中該些連接結構具相同圖樣。
3.根據權利要求1所述的頂部發光型微發光二極管顯示器,其特征在于,其中該些連接結構包含透明材質。
4.根據權利要求1所述的頂部發光型微發光二極管顯示器,其特征在于,其中該些連接結構包含非透明材質。
5.根據權利要求1所述的頂部發光型微發光二極管顯示器,其特征在于,其中該第一光阻斷層為黑矩陣。
6.根據權利要求1所述的頂部發光型微發光二極管顯示器,其特征在于,其中該第一光阻斷層的厚度大于該導光層的厚度。
7.根據權利要求1所述的頂部發光型微發光二極管顯示器,其特征在于,其中該第一光阻斷層的厚度小于該導光層的厚度,該第一光阻斷層與該導光層相鄰的區域互相部分重疊,且該第一光阻斷層被該導光層部分覆蓋。
8.根據權利要求1所述的頂部發光型微發光二極管顯示器,其特征在于,其中每一個該發光區相應于一個微發光二極管。
9.根據權利要求1所述的頂部發光型微發光二極管顯示器,其特征在于,其中每一個該發光區相應于一個紅色微發光二極管、一個綠色微發光二極管與一個藍色微發光二極管。
10.根據權利要求1所述的頂部發光型微發光二極管顯示器,其特征在于,其中該發光區內的紅色微發光二極管、綠色微發光二極管與藍色微發光二極管分別相應于相同圖樣的連接結構。
11.根據權利要求1所述的頂部發光型微發光二極管顯示器,其特征在于,其中該連接結構全面形成于該發光區內。
12.根據權利要求1所述的頂部發光型微發光二極管顯示器,其特征在于,更包含:
阻斷基板,位于該第一主基板與該第一光阻斷層的上方;及
第二光阻斷層,形成于該阻斷基板的底面,該第二光阻斷層覆蓋該發光區與該第一光阻斷層以外的區域;
其中該第一光阻斷層具框形以圍繞該發光區,該第一光阻斷層與該第二光阻斷層相鄰的區域互相部分重疊。
13.根據權利要求12所述的頂部發光型微發光二極管顯示器,其特征在于,其中該第一光阻斷層的開口內徑異于該第二光阻斷層的開口內徑。
14.根據權利要求12所述的頂部發光型微發光二極管顯示器,其特征在于,其中該第二光阻斷層為黑矩陣。
15.根據權利要求12所述的頂部發光型微發光二極管顯示器,其特征在于,其中該阻斷基板的材質包含透光材質。
16.根據權利要求12所述的頂部發光型微發光二極管顯示器,其特征在于,更包含:
第二主基板,與該第一主基板位于同一水平面,但分別相應于各自的微發光二極管顯示面板,該第一主基板與該第二主基板之上分別設有第一光阻斷層;
其中該第一主基板與該第二主基板對應于同一個阻斷基板,且于該第一主基板與該第二主基板的相鄰處,該第一主基板的第一光阻斷層與該第二主基板的第一光阻斷層對應于同一個第二光阻斷層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于啟端光電股份有限公司,未經啟端光電股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811027497.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





