[發明專利]一種用于卷繞鍍膜系統沉積輥的防護裝置

在審

• 申請號: 201811027434.5
• 申請日: 2018-09-04
• 公開（公告）號: CN109338337A
• 公開（公告）日: 2019-02-15
• 發明（設計）人: 王小軍;黨文強;馮煜東;董茂進;何丹;李中華
• 申請（專利權）人: 無錫泓瑞航天科技有限公司
• 主分類號: C23C16/54
• 分類號: C23C16/54;C23C16/513
• 代理公司: 北京理工大學專利中心 11120
• 代理人: 張潔;仇蕾安

本發明涉及一種用于卷繞鍍膜系統沉積輥的防護裝置，屬于真空鍍膜技術領域。所述裝置包括：防護罩和絕緣墊，防護罩同軸套裝在沉積輥的兩端，且與沉積輥和基膜均不接觸；防護罩為筒狀結構，筒狀罩體上開有兩個用于基膜的卷入和卷出的穿膜開口，且穿膜開口與基膜不接觸；防護罩的底部設有防護罩底座，防護罩底座固定在絕緣墊上，絕緣墊固定在真空室腔壁上。將沉積輥置于防護罩內部，并使基膜邊緣通過穿膜開口狹縫穿入和穿出防護罩內部，可有效地抑制沉積氣體在沉積輥兩端的污染，提高良品率，延長清潔周期，提高生產效率，并可增加鍍膜設備的膜材幅寬通用性。

技術領域

本發明涉及一種用于卷繞鍍膜系統沉積輥的防護裝置，屬于真空鍍膜技術領域。

背景技術

真空卷繞鍍膜技術，即在真空室內通過熱蒸發、磁控濺射、等離子體增強等方法在柔性卷料基膜表面鍍制功能薄膜的技術。其工作原理是蒸發、濺射或者是其它真空鍍膜方法中的任意一種。

以等離子體增強化學氣相沉積技術為例，是在沉積室利用輝光放電使氣體電離后在基膜上進行化學反應沉積的薄膜的制備方法。該方法可在較低溫度下形成固體膜。例如在一個反應室內使基體材料包覆通過陰極，通入反應氣體至較低氣壓(1～10Pa)，基體保持一定溫度，以中頻、射頻、微波等激發，或直流高壓激發，脈沖激發等方式產生輝光放電使基膜附近氣體電離。從而使反應氣體活化，并使基體表面產生陰極濺射。在熱化學反應和等離子體化學反應的共同作用下使反應氣體在基膜表面沉積成膜。

目前，在柔性基膜的卷繞鍍膜生產中，往往面臨著膜層附著污染沉積輥的問題。這是因為柔性基膜的幅寬小于沉積輥的寬度，因而沉積輥的兩端暴露在沉積氣體中，在連續鍍膜的過程中，暴露在外的沉積輥兩端被持續地污染，形成的結痂會逐漸增厚，進而影響膜層質量和生產效率，往往在鍍膜設備運行一段時間后不得不進行清潔工作。

傳統的卷繞式鍍膜設備中真空腔內的防護結構，通常會加裝若干擋板進行隔離，限制沉積氣體的運動范圍。然而，這類擋板限制的是沿卷繞走帶方向的范圍，并不能解決沉積輥兩端未被基膜覆蓋的區域的污染問題。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的在于提供一種用于卷繞鍍膜系統沉積輥的防護裝置，以解決現有卷繞鍍膜設備的沉積輥兩端污染問題。

為實現上述目的，本發明的技術方案如下。

一種用于卷繞鍍膜系統沉積輥的防護裝置，所述裝置包括：防護罩和絕緣墊，所述防護罩材質為奧氏體不銹鋼，所述防護罩同軸套裝在沉積輥的兩端，且與沉積輥和基膜均不接觸；所述防護罩為筒狀結構，筒狀罩體上開有兩個用于基膜的卷入和卷出的穿膜開口，且穿膜開口與基膜不接觸；所述防護罩的底部設有防護罩底座，所述防護罩底座固定在絕緣墊上，所述絕緣墊固定在真空室腔壁上。

優選的，所述穿膜開口沿平行于基膜走向延伸出兩段空心的延長保護段。

優選的，所述基膜側邊伸入防護罩內部的長度為30～50mm。

有益效果：

(1)將沉積輥兩端套裝在防護罩內，且使基膜兩側邊進入防護罩內，有效地減少等離子體向沉積輥兩端的運動，從而防止沉積氣體在沉積輥兩端的污染。

(2)沉積輥兩端的清潔能夠保證基膜邊緣平整，使基膜與沉積輥良好接觸，不易發生褶皺，從而提高良品率；(3)延長清潔周期，提高生產效率。(4)針對不同幅寬的基膜可替換不同尺寸型號的防護罩，使不同幅寬的基膜都能在同一臺鍍膜設備上進行鍍膜，有效保護沉積輥不受污染。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單說明。顯然，所描述的附圖只是本發明的個別實施例，而非全部實施例，本領域的技術人員在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其它設計方案和附圖。

圖1為本發明所述防護裝置的立體圖。