[發明專利]一種光吸收性能好的單晶硅片

在審

• 申請號: 201811027068.3
• 申請日: 2018-09-04
• 公開（公告）號: CN109390419A
• 公開（公告）日: 2019-02-26
• 發明（設計）人: 陳春成;戚建靜
• 申請（專利權）人: 江蘇晶品新能源科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/054
• 代理公司: 北京科家知識產權代理事務所(普通合伙) 11427
• 代理人: 陳娟

本發明公開了一種光吸收性能好的單晶硅片，包括單晶硅片本體，所述單晶硅片本體上表面橫向設置有主柵線，所述單晶硅片本體上表面沿所述主柵線垂直方向均勻分布有副柵線，所述單晶硅片本體包括P區和N區，所述P區、所述單晶硅本體以及所述N區從上至下依次排布，所述N區下方設置有金屬導電層，所述N區上方設置有聚光層，所述P區兩側設置有上電極，所述N區兩側設置有下電極；本發明的光吸收性能好的單晶硅片，通過在表面設置聚光層，增加了聚光效果，同時在聚光層表面設置二氧化硅薄膜增加單晶硅片的光吸收性能。

技術領域

本發明屬于單晶硅片技術領域，尤其涉及一種光吸收性能好的單晶硅片。

背景技術

單晶硅是一種比較活潑的非金屬元素，是晶體材料的重要組成部分，處于新材料發展的前沿，其主要用途是用作半導體材料和利用太陽能光伏發電、供熱等，由于太陽能具有清潔、環保、方便等諸多優勢，在路燈領域應用尤其廣泛；太陽能電池雖然有諸多優點，可是其高昂的造價使其一般只作為公共設施用途，一款造價低廉、光吸收性能好的單晶硅片是降低太陽能電池造價成本的重要原材料。

發明內容

發明目的：本發明旨在解決上述難題，提出一種光吸收性能好的單晶硅片。

技術方案：一種光吸收性能好的單晶硅片，包括單晶硅片本體，所述單晶硅片本體上表面橫向設置有主柵線，所述單晶硅片本體上表面沿所述主柵線垂直方向均勻分布有副柵線，所述單晶硅片本體包括P區和N區，所述P區、所述單晶硅本體以及所述N區從上至下依次排布，所述N區下方設置有金屬導電層，所述N區上方設置有聚光層，所述P區兩側設置有上電極，所述N區兩側設置有下電極。

進一步的，所述聚光層為玻璃材質。

進一步的，所述聚光層上表面覆蓋有二氧化硅薄膜。

進一步的，所述單晶硅片本體的厚度為0.3-0.6毫米。

進一步的，所述聚光層為碗型結構。

進一步的，所述單晶硅片本體為正八邊形。

進一步的，所述副柵線數量為10-20個。

有益效果：本發明的光吸收性能好的單晶硅片，通過在表面設置聚光層，增加了聚光效果，同時在聚光層表面設置二氧化硅薄膜增加單晶硅片的光吸收性能。

附圖說明

圖1本發明的結構示意圖。

圖2本發明的側視圖。

圖中：1單晶硅片本體、2P區、3N區、4聚光層、5下電極、6上電極、 7金屬導電層、8主柵線、9副柵線。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明進行進一步的說明。

如圖1-2所示：一種光吸收性能好的單晶硅片，包括單晶硅片本體，單晶硅片本體上表面橫向設置有主柵線，單晶硅片本體上表面沿主柵線垂直方向均勻分布有副柵線，單晶硅片本體包括P區和N區，P區、單晶硅本體以及N區從上至下依次排布，N區下方設置有金屬導電層，N區上方設置有聚光層，P區兩側設置有上電極，N區兩側設置有下電極。

聚光層為玻璃材質。

聚光層上表面覆蓋有二氧化硅薄膜。

單晶硅片本體的厚度為0.3-0.6毫米。

聚光層為碗型結構。

單晶硅片本體為正八邊形。

副柵線數量為10-20個。

本發明的光吸收性能好的單晶硅片，通過在表面設置聚光層，增加了聚光效果，同時在聚光層表面設置二氧化硅薄膜增加單晶硅片的光吸收性能。

盡管本發明就優選實施方式進行了示意和描述，但本領域的技術人員應當理解，只要不超出本發明的權利要求所限定的范圍，可以對本發明進行各種變化和修改。