[發(fā)明專利]一種光吸收性能好的單晶硅片在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811027068.3 | 申請日： | 2018-09-04 |
| 公開（公告）號： | CN109390419A | 公開（公告）日： | 2019-02-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳春成;戚建靜 | 申請（專利權(quán)）人： | 江蘇晶品新能源科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0224 | 分類號： | H01L31/0224;H01L31/054 |
| 代理公司： | 北京科家知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11427 | 代理人： | 陳娟 |
| 地址： | 225600 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 單晶硅片 光吸收性能 聚光層 表面設(shè)置 兩側(cè)設(shè)置 上表面 二氧化硅薄膜 單晶硅本體 金屬導(dǎo)電層 從上至下 橫向設(shè)置 聚光效果 副柵線 下電極 主柵線 電極 排布 柵線 | ||
1.一種光吸收性能好的單晶硅片，包括單晶硅片本體，其特征在于：所述單晶硅片本體上表面橫向設(shè)置有主柵線，所述單晶硅片本體上表面沿所述主柵線垂直方向均勻分布有副柵線，所述單晶硅片本體包括P區(qū)和N區(qū)，所述P區(qū)、所述單晶硅本體以及所述N區(qū)從上至下依次排布，所述N區(qū)下方設(shè)置有金屬導(dǎo)電層，所述N區(qū)上方設(shè)置有聚光層，所述P區(qū)兩側(cè)設(shè)置有上電極，所述N區(qū)兩側(cè)設(shè)置有下電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光吸收性能好的單晶硅片，其特征在于：所述聚光層為玻璃材質(zhì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光吸收性能好的單晶硅片，其特征在于：所述聚光層上表面覆蓋有二氧化硅薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光吸收性能好的單晶硅片，其特征在于：所述單晶硅片本體的厚度為0.3-0.6毫米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光吸收性能好的單晶硅片，其特征在于：所述聚光層為碗型結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光吸收性能好的單晶硅片，其特征在于：所述單晶硅片本體為正八邊形。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光吸收性能好的單晶硅片，其特征在于：所述副柵線數(shù)量為10-20個。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
