[發(fā)明專利]一種半導體存儲器的器件結構及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811026817.0
• 申請日: 2018-09-04
• 公開（公告）號: CN109461703A
• 公開（公告）日: 2019-03-12
• 發(fā)明（設計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

本發(fā)明提供一種半導體存儲器的器件結構及其制造方法，該方法包括：于半導體襯底中形成有源區(qū)及淺溝槽隔離結構；對有源區(qū)進行兩次離子植入以形成不同深度的第一、第二離子摻雜層；對有源區(qū)進行圖形化刻蝕以形成第一、第二溝槽，第一溝槽、第二溝槽將有源區(qū)分為側邊源區(qū)和中間漏區(qū)；于第一、第二溝槽中形成與存儲器字線一體成型的柵極組件；于上述結構上形成暴露出位于中間漏區(qū)的第一離子摻雜層的第一光刻圖形；通過第一光刻圖形對上述結構進行離子植入，以于中間漏區(qū)的第一離子摻雜層下方形成第三離子摻雜層，之后于中間漏區(qū)的第一離子摻雜層上表面形成引出組件。通過本發(fā)明解決了現(xiàn)有存儲器結構的漏電問題。

技術領域

本發(fā)明涉及集成電路技術領域，特別是涉及一種半導體存儲器的器件結構及其制造方 法。

背景技術

動態(tài)隨機存儲器(DRAM)是一種常用的半導體存儲器件。由許多重復的存儲單元組成。 每個存儲單元通常包括一個電容器和一個晶體管；晶體管的柵極與字線相連、漏極與位線相 連、源極與電容器相連；字線上的電壓信號能夠控制晶體管的打開或關閉，進而通過位線讀 取在電容器中的數(shù)據(jù)信息，或者通過位線將數(shù)據(jù)信息寫入電容器中進行存儲。數(shù)據(jù)以電荷形 式存放在電容器之中，一般以無電荷代表“0”，有電荷代表“1”，反之亦可。通常，電容 器及與其相聯(lián)接的PN結有微弱的漏電，電荷隨時間而變少，直至漏完，存入的數(shù)據(jù)便會丟 失。因此動態(tài)隨機存儲器需要每隔2～4毫秒對單元電路存儲的信息重寫一次，這稱為刷 新。

現(xiàn)有的動態(tài)隨機存儲器中，如果在相鄰的字線之間存在過度耦合，則錘擊過程(Hammer process)會迫使存儲單元向接入的設備漏電。尤其是在數(shù)據(jù)為“1”的存儲單元與數(shù)據(jù)為“0” 的存儲單元相鄰時，錘擊過程中，電子很容易由數(shù)據(jù)為“0”的存儲單元遷徙到數(shù)據(jù)為“1” 的存儲單元。這種相鄰存儲單元之間的漏電加速了存儲單元的失效。

圖1為現(xiàn)有技術中的一種半導體存儲器的器件結構，包括：有源區(qū)101；位于所述有源 區(qū)101的柵極組件102；分別位于所述柵極組件102兩側的源區(qū)和漏區(qū)，在所述源區(qū)設有節(jié) 點接觸103以與存儲單元的電容器(圖中未示出)相連，在所述漏區(qū)設有位線接觸104以與 所述半導體存儲器的位線(圖中未示出)相連，所述柵極組件102與所述半導體存儲器的字 線相連；其中，相鄰兩組所述柵極組件102共用一個位線接觸104，每組柵極組件102通過節(jié)點接觸103控制一個存儲單元的電容器。

當相鄰兩組柵極組件102分別控制數(shù)據(jù)為“1”的存儲單元與數(shù)據(jù)為“0”的存儲單元時， 其中一組柵極組件102周圍會出現(xiàn)干擾電荷e^-，在電壓差作用下，這些干擾電荷e^-會漂移至 相鄰的另一組柵極組件102，從而導致相鄰存儲單元的失效。由圖1可見，這些干擾電荷e^-分布在柵極組件102的下部，在位線接觸104下端的電荷e^-很容易漂移至相鄰另一個單元的 節(jié)點接觸103。

因此，實有必要尋求新的方法或器件結構以改善現(xiàn)有存儲器結構的漏電問題。

發(fā)明內容

鑒于以上所述現(xiàn)有技術，本發(fā)明的目的在于提供一種半導體存儲器的器件結構及其制造 方法，用于解決現(xiàn)有存儲器結構的漏電問題。

為實現(xiàn)上述目的及其他相關目的，本發(fā)明提供一種半導體存儲器的器件結構的制造方 法，所述制造方法包括：

S1：提供一半導體襯底，并于所述半導體襯底中形成復數(shù)個有源區(qū)及隔離所述有源區(qū)的 淺溝槽隔離結構；

S2：對所述有源區(qū)進行兩次離子植入，以于所述有源區(qū)上部形成不同深度的第一離子摻 雜層和第二離子摻雜層，所述第一離子摻雜層具有第一導電類型，所述第二離子摻雜層具有 第二導電類型；