[發明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制作方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 201811026736.0
• 申請日: 2018-09-04
• 公開（公告）號: CN109192736A
• 公開（公告）日: 2019-01-11
• 發明（設計）人: 劉文渠;張鋒;姚琪;呂志軍;董立文;黨寧;張世政;崔釗;宋曉欣
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 黃燦;張博

本發明提供了一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法、顯示裝置，屬于顯示技術領域。其中，薄膜晶體管陣列基板，包括位于襯底基板上、陣列排布的多個薄膜晶體管和覆蓋所述薄膜晶體管的平坦層，所述薄膜晶體管的有源層和所述平坦層之間設置有遮光層，所述遮光層覆蓋所述薄膜晶體管陣列基板的全部顯示區域。本發明的技術方案能夠保證薄膜晶體管陣列基板的產品性能。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別是指一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術

目前，AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，有源矩陣有機發光二極體)技術是電子產品的發展趨勢，因其具有更寬的視角、更高的刷新率和更薄的尺寸，在智能手機上得到廣泛應用。LTPS-TFT(Low Temperature Poly-silicon Thin FilmTransistor，低溫多晶硅薄膜晶體管)在AMOLED產品的高PPI(Pixel Per Inch，像素密度)、低功耗、高畫質等方面具備明顯的技術優勢。

但現有的LTPS-TFT基板在制備有機平坦層時需要高能量的曝光，會造成P-Si材質的有源層電子躍遷，將引起明顯的Vth漂移現象，影響產品性能。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法、顯示裝置，能夠保證薄膜晶體管陣列基板的產品性能。

為解決上述技術問題，本發明的實施例提供技術方案如下：

一方面，提供一種薄膜晶體管陣列基板，包括位于襯底基板上、陣列排布的多個薄膜晶體管和覆蓋所述薄膜晶體管的平坦層，所述薄膜晶體管的有源層和所述平坦層之間設置有遮光層，所述遮光層覆蓋所述薄膜晶體管陣列基板的全部顯示區域。

進一步地，所述薄膜晶體管陣列基板具體包括：

位于襯底基板上的緩沖層；

位于所述緩沖層上的所述有源層；

覆蓋所述有源層的柵絕緣層；

位于所述柵絕緣層上的所述薄膜晶體管的柵電極；

覆蓋所述柵電極的層間絕緣層；

位于所述層間絕緣層上的所述薄膜晶體管的源電極和漏電極；

覆蓋所述源電極和所述漏電極的平坦層。

進一步地，所述層間絕緣層采用遮光材料制成，復用為所述遮光層；或

所述柵絕緣層采用遮光材料制成，復用為所述遮光層。

進一步地，所述遮光層位于所述層間絕緣層和所述平坦層之間。

進一步地，所述有源層采用低溫多晶硅。

本發明實施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的薄膜晶體管陣列基板。

進一步地，所述顯示裝置還包括多個發光單元，所述發光單元包括陽極、陰極以及位于陽極和陰極之間的有機發光層，所述陽極與所述薄膜晶體管的漏極連接。

本發明實施例還提供了一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，所述薄膜晶體管陣列基板包括位于襯底基板上、陣列排布的多個薄膜晶體管和覆蓋所述薄膜晶體管的平坦層，所述制作方法包括：

在所述薄膜晶體管的有源層和所述平坦層之間形成遮光層，所述遮光層覆蓋所述薄膜晶體管陣列基板的全部顯示區域。

進一步地，所述制作方法具體包括：

采用遮光材料形成所述薄膜晶體管陣列基板的層間絕緣層，由所述層間絕緣層復用為所述遮光層；或