[發明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制作方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 201811026736.0
• 申請日: 2018-09-04
• 公開（公告）號: CN109192736A
• 公開（公告）日: 2019-01-11
• 發明（設計）人: 劉文渠;張鋒;姚琪;呂志軍;董立文;黨寧;張世政;崔釗;宋曉欣
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 黃燦;張博

1.一種薄膜晶體管陣列基板，包括位于襯底基板上、陣列排布的多個薄膜晶體管和覆蓋所述薄膜晶體管的平坦層，其特征在于，所述薄膜晶體管的有源層和所述平坦層之間設置有遮光層，所述遮光層覆蓋所述薄膜晶體管陣列基板的全部顯示區域。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板具體包括：

位于襯底基板上的緩沖層；

位于所述緩沖層上的所述有源層；

覆蓋所述有源層的柵絕緣層；

位于所述柵絕緣層上的所述薄膜晶體管的柵電極；

覆蓋所述柵電極的層間絕緣層；

位于所述層間絕緣層上的所述薄膜晶體管的源電極和漏電極；

覆蓋所述源電極和所述漏電極的平坦層。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述層間絕緣層采用遮光材料制成，復用為所述遮光層；或

所述柵絕緣層采用遮光材料制成，復用為所述遮光層。

4.根據權利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述遮光層位于所述層間絕緣層和所述平坦層之間。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述有源層采用低溫多晶硅。

6.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-5中任一項所述的薄膜晶體管陣列基板。

7.根據權利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置還包括多個發光單元，所述發光單元包括陽極、陰極以及位于陽極和陰極之間的有機發光層，所述陽極與所述薄膜晶體管的漏極連接。

8.一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，所述薄膜晶體管陣列基板包括位于襯底基板上、陣列排布的多個薄膜晶體管和覆蓋所述薄膜晶體管的平坦層，其特征在于，所述制作方法包括：

在所述薄膜晶體管的有源層和所述平坦層之間形成遮光層，所述遮光層覆蓋所述薄膜晶體管陣列基板的全部顯示區域。

9.根據權利要求8所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法具體包括：

采用遮光材料形成所述薄膜晶體管陣列基板的層間絕緣層，由所述層間絕緣層復用為所述遮光層；或

采用遮光材料形成所述薄膜晶體管陣列基板的柵絕緣層，由所述柵絕緣層復用為所述遮光層。

10.根據權利要求8所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法具體包括：

在所述薄膜晶體管陣列基板的層間絕緣層和平坦層之間形成所述遮光層。