[發明專利]一種太陽能電池的制備工藝在審
| 申請號: | 201811025440.7 | 申請日: | 2018-09-04 |
| 公開(公告)號: | CN109285918A | 公開(公告)日: | 2019-01-29 |
| 發明(設計)人: | 李躍恒;高艷飛;張強;楊愛靜;宋標;王濤;韓秦軍 | 申請(專利權)人: | 國家電投集團西安太陽能電力有限公司;國家電投集團西安太陽能電力有限公司西寧分公司;國家電投集團黃河上游水電開發有限責任公司;青海黃河上游水電開發有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/268 |
| 代理公司: | 上海碩力知識產權代理事務所(普通合伙) 31251 | 代理人: | 郭桂峰 |
| 地址: | 710100 陜西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激光劃線 劃線區域 非激光 摻雜量 太陽能電池 擴散摻雜 正面柵線 制備工藝 印刷 非柵線區域 短路電流 后續程序 絲網印刷 填充因子 柵線區域 正面電極 淺摻雜 重摻雜 硅片 摻雜 | ||
本發明公開了一種太陽能電池的制備工藝,通過先對硅片進行激光劃線形成正面電極圖形再進行擴散摻雜及后續程序,由于提前在正面柵線印刷的區域進行激光劃線,在進行擴散摻雜時,激光劃線區域的表面積大于非激光劃線區域的面積,激光劃線區域的摻雜深度大于非激光劃線區域,因此激光劃線區域的摻雜量大于非激光劃線區域的摻雜量,非激光劃線區域的摻雜量相對低一些,因此經過絲網印刷正面柵線印刷后,柵線區域實現了重摻雜,非柵線區域實現了淺摻雜,可以同時獲得更高的填充因子FF和短路電流Isc。
技術領域
本發明涉及太陽能電池制造技術領域,尤其涉及一種太陽能電池的制備工藝。
背景技術
太陽能是一種清潔、高效和永不衰竭的新能源,是重要的可再生能源之一。隨著太陽能行業的發展,更多的客戶及太陽能電池制造商越來越重視高效率太陽能電池的生產。近年來,國內外對高效太陽能電池的制造工藝進行了大量研究,有結果顯示:在正面柵線漿料覆蓋區域進行重摻雜擴散,可以獲得更高的填充因子FF,從而獲得更高的電池轉換效率。常規擴散是均勻擴散,擴散摻雜量變大會導致非正面柵線印刷區域的復合增加,因此會導致電池轉換效率的降低。填充因子FF和短路電流Isc非常難以平衡。
因此,有必要對太陽能電池制造工藝進行改進。
發明內容
本發明提出了一種太陽能電池的制備工藝,以在減少非正面柵線區域復合的同時,提高正面柵線區域的接觸。
為了解決上述問題,本發明提供如下技術方案:
一種太陽能電池的制備工藝,包括以下步驟:
S1:對硅片進行激光劃線,其中激光劃線形成的圖形與絲網印刷正電極圖形相同,所述絲網印刷正電極圖形包括正面柵線圖形;
S2:對激光劃線后的硅片進行擴散摻雜,在正面柵線圖形區域形成重摻雜,其它區域形成淺摻雜;
S3:對擴散摻雜后的硅片依次進行刻蝕、鍍膜;
S4:進行絲網印刷,其中絲網印刷形成的正面柵線套印在激光劃線形成的圖形上。
在本發明的一個實施例中,所述激光劃線采用的硅片為原始硅片或者制絨后的硅片。
在本發明的一個實施例中,激光劃線形成的圖形的柵線的寬度為20微米 -200微米。
在本發明的一個實施例中,激光劃線形成的圖形的柵線的深度不大于2微米。
本發明由于采用以上技術方案,使之與現有技術相比,存在以下的優點和積極效果:
(1)本發明通過先對硅片進行激光劃線形成正面電極圖形再進行擴散摻雜及后續程序,由于提前在正面柵線印刷的區域進行激光劃線,在進行擴散摻雜時,激光劃線區域的表面積大于非激光劃線區域的面積,激光劃線區域的摻雜深度大于非激光劃線區域,因此激光劃線區域的摻雜量大于非激光劃線區域的摻雜量,非激光劃線區域的摻雜量相對低一些,因此經過絲網印刷正面柵線印刷后,柵線區域實現了重摻雜,非柵線區域實現了淺摻雜,可以同時獲得更高的填充因子FF和短路電流Isc。
附圖說明
圖1為本發明實施例提供的太陽能電池的制備工藝的流程示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖和具體實施例對本發明提出的太陽能電池的制備工藝作進一步詳細說明。根據下面說明和權利要求書,本發明的優點和特征將更清楚。需說明的是,附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例,僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。
請參考圖1,如圖1所示,本發明實施例提供的太陽能電池的制備工藝包括以下步驟:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





