[發(fā)明專利]一種太陽能電池的制備工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811025440.7 | 申請日： | 2018-09-04 |
| 公開（公告）號： | CN109285918A | 公開（公告）日： | 2019-01-29 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李躍恒;高艷飛;張強;楊愛靜;宋標;王濤;韓秦軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 國家電投集團西安太陽能電力有限公司;國家電投集團西安太陽能電力有限公司西寧分公司;國家電投集團黃河上游水電開發(fā)有限責任公司;青海黃河上游水電開發(fā)有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L21/268 |
| 代理公司： | 上海碩力知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 31251 | 代理人： | 郭桂峰 |
| 地址： | 710100 陜西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 激光劃線 劃線區(qū)域 非激光 摻雜量 太陽能電池 擴散摻雜 正面柵線 制備工藝 印刷 非柵線區(qū)域 短路電流 后續(xù)程序 絲網(wǎng)印刷 填充因子 柵線區(qū)域 正面電極 淺摻雜 重摻雜 硅片 摻雜 | ||
1.一種太陽能電池的制備工藝，其特征在于，包括以下步驟：
S1：對硅片進行激光劃線，其中激光劃線形成的圖形與絲網(wǎng)印刷正電極圖形相同，所述絲網(wǎng)印刷正電極圖形包括正面柵線圖形；
S2：對激光劃線后的硅片進行擴散摻雜，在正面柵線圖形區(qū)域形成重摻雜，其它區(qū)域形成淺摻雜；
S3：對擴散摻雜后的硅片依次進行刻蝕、鍍膜；
S4：進行絲網(wǎng)印刷，其中絲網(wǎng)印刷形成的正面柵線套印在激光劃線形成的圖形上。
2.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制備工藝，其特征在于，所述激光劃線采用的硅片為原始硅片或者制絨后的硅片。
3.如權(quán)利要求1或2所述的太陽能電池的制備工藝，其特征在于，激光劃線形成的圖形的柵線的寬度為20微米-200微米。
4.如權(quán)利要求3所述的太陽能電池的制備工藝，其特征在于，激光劃線形成的圖形的柵線的深度不大于2微米。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
