[發(fā)明專利]用于太陽能電池的窗口層、太陽能電池及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811025343.8 | 申請(qǐng)日: | 2018-09-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109216482B | 公開(公告)日: | 2020-07-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳瑛;周顯華;殷新建 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國建材國際工程集團(tuán)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0296 | 分類號(hào): | H01L31/0296;H01L31/0392;H01L31/18 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 200063 上海市普*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 太陽能電池 窗口 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明提供一種用于太陽能電池的窗口層、太陽能電池及其制備方法,如下步驟:1)提供一基底;2)于所述基底的表面形成增透吸收層,所述增透吸收層用于增加太陽能電池對(duì)太陽光的透過率并增加所述太陽能電池對(duì)短波光的吸收;3)于所述增透吸收層遠(yuǎn)離所述基底的表面形成保護(hù)層;4)于所述保護(hù)層遠(yuǎn)離所述增透吸收層的表面形成緩沖層。本發(fā)明制備的窗口層用于太陽能電池時(shí),可以增加太陽能電池對(duì)太陽光的透過率,提高對(duì)短波光的吸收,從而提高太陽能電池的性能;且本發(fā)明的窗口層的制備方法操作簡單,工藝簡單,容易控制。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及太陽能電池領(lǐng)域,特別是涉及一種用于太陽能電池的窗口層、太陽能電池及其制備方法。
背景技術(shù)
碲化鎘太陽能電池,較單晶硅太陽能電池有制作方便,成本低廉和重量較輕等優(yōu)點(diǎn)。碲化鎘薄膜太陽能電池簡稱CdTe電池,它是一種以p型CdTe和n型CdS的異質(zhì)結(jié)為基礎(chǔ)的薄膜太陽能電池。一般標(biāo)準(zhǔn)的碲化鎘薄膜太陽能電池由五層結(jié)構(gòu)組成:背電極、背接觸層、CdTe吸收層、CdTe窗口層、TCO層。碲化鎘薄膜太陽能電池的生產(chǎn)成本大大低于晶體硅和其他材料的太陽能電池技術(shù),其次它和太陽光譜很一致,可吸收95%以上的陽光。在廣泛深入的應(yīng)用研究基礎(chǔ)上,國際上許多國家的CdTe電池已由實(shí)驗(yàn)室研究階段開始走向規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。傳統(tǒng)的碲化鎘工藝是窗口層采用硫化鎘(CdS),采用硫化鎘第一會(huì)使短波的吸收降低,從而降低電池的性能,第二采用的硫化鎘是有毒的物質(zhì),對(duì)環(huán)境和工作的人員都是不利的,而且傳統(tǒng)的硫化鎘的制備方法大多采用化學(xué)水浴法(CBD),這種工藝還會(huì)產(chǎn)生很多廢液,工藝控制難,有的工藝直接采用氧化鋅摻氧化鎂(MZO)作為窗口層,這種結(jié)構(gòu)雖然在短波的QE相應(yīng)增加,但是會(huì)引起FF和Voc的降低,主要是因?yàn)镸ZO/CdTe異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的內(nèi)建電場較弱,所以盡管QE相應(yīng)好,但是電池的整體性能仍是下降的。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),本發(fā)明的目的在于提供一種用于太陽能電池的窗口層、太陽能電池及其制備方法,用于解決現(xiàn)有技術(shù)中采用硫化鎘作為窗口層存在的使短波光的吸收降低,從而降低電池的性能的問題,硫化鎘是有毒物質(zhì),對(duì)環(huán)境和工作人員不利的問題以及硫化鎘的制備工藝存在的會(huì)產(chǎn)生很多廢液,工藝控制難的問題,以及現(xiàn)有技術(shù)中采用氧化鋅摻氧化鎂作為窗口層存在的會(huì)引起FF和Voc的降低,從而使得電池整體性能下降的問題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本發(fā)明提供一種用于太陽能電池的窗口層的制備方法,所述用于太陽能電池的窗口的制備方法包括如下步驟:
1)提供一基底;
2)于所述基底的表面形成增透吸收層,所述增透吸收層用于增加太陽能電池對(duì)太陽光的透過率并增加所述太陽能電池對(duì)短波光的吸收;
3)于所述增透吸收層遠(yuǎn)離所述基底的表面形成保護(hù)層;
4)于所述保護(hù)層遠(yuǎn)離所述增透吸收層的表面形成緩沖層。
優(yōu)選地,步驟2)中,采用蒸鍍工藝于所述基底的表面形成氧化鎘層作為所述增透吸收層;步驟3)中,采用蒸鍍工藝于所述增透吸收層遠(yuǎn)離所述基底的表面形成硒化鋅層作為所述保護(hù)層;步驟4)中,采用蒸鍍工藝于所述保護(hù)層遠(yuǎn)離所述增透吸收層的表面形成碲鋅鎘層作為所述緩沖層。
優(yōu)選地,步驟4)之后還包括將步驟4)得到的結(jié)構(gòu)進(jìn)行活化退火處理的步驟。
優(yōu)選地,將步驟4)得到的結(jié)構(gòu)置于濕度介于25%~80%之間的環(huán)境中進(jìn)行活化退火處理。
優(yōu)選地,所述活化退火處理的活化退火溫度介于395℃~400℃之間,所述活化退火處理的活化退火時(shí)間介于30min~40min之間。
優(yōu)選地,步驟4)之后,還包括去除所述基底的步驟。
本發(fā)還明提供一種用于太陽能電池的窗口層,所述窗口層包括:
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





