[發明專利]用于太陽能電池的窗口層、太陽能電池及其制備方法有效
| 申請號: | 201811025343.8 | 申請日: | 2018-09-04 |
| 公開(公告)號: | CN109216482B | 公開(公告)日: | 2020-07-24 |
| 發明(設計)人: | 陳瑛;周顯華;殷新建 | 申請(專利權)人: | 中國建材國際工程集團有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0296 | 分類號: | H01L31/0296;H01L31/0392;H01L31/18 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 200063 上海市普*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 太陽能電池 窗口 及其 制備 方法 | ||
1.一種太陽能電池窗口層的制備方法,其特征在于,所述方法包括如下步驟:
1)提供一基底;
2)于所述基底的表面形成增透吸收層,所述增透吸收層用于增加太陽能電池對太陽光的透過率并增加所述太陽能電池對短波光的吸收,所述增透吸收層為氧化鎘層;
3)于所述增透吸收層遠離所述基底的表面形成保護層,所述保護層為硒化鋅層;
4)于所述保護層遠離所述增透吸收層的表面形成緩沖層,所述緩沖層為碲鋅鎘層;
5)將步驟4)得到的結構進行活化退火處理,所述活化退火處理的活化退火溫度介于395℃~400℃之間,所述活化退火處理的活化退火時間介于30min~40min之間;
所述窗口層的厚度介于40nm~70nm之間。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池窗口層的制備方法,其特征在于,步驟2)中,采用蒸鍍工藝于所述基底的表面形成所述增透吸收層;步驟3)中,采用蒸鍍工藝于所述增透吸收層遠離所述基底的表面形成所述保護層;步驟4)中,采用蒸鍍工藝于所述保護層遠離所述增透吸收層的表面形成所述緩沖層。
3.根據權利要求1所述的太陽能電池窗口層的制備方法,其特征在于,將步驟4)得到的結構置于濕度介于25%~80%之間的環境中進行活化退火處理。
4.根據權利要求3所述的太陽能電池窗口層的制備方法,其特征在于,步驟4)之后,還包括去除所述基底的步驟。
5.一種太陽能電池的窗口層,其特征在于,所述窗口層的厚度介于40nm~70nm之間,所述窗口層包括:
增透吸收層,包括相對的第一表面及第二表面,用于增加太陽能電池對太陽光的透過率并增加所述太陽能電池對短波光的吸收,所述增透吸收層為氧化鎘層;
保護層,位于所述增透吸收層的第一表面上,所述保護層為硒化鋅層;
緩沖層,位于所述保護層遠離所述增透吸收層的表面上,所述緩沖層為碲鋅鎘層。
6.根據權利要求5所述的太陽能電池的窗口層,其特征在于,所述窗口層還包括:
第一擴散層,位于所述增透吸收層與所述保護層之間,所述第一擴散層的材料包括Zn1-xCdxSe,其中,0<x<1;
第二擴散層,包括Zn1-xCdxSe層及Zn1-yCdyTe層,所述Zn1-xCdxSe層位于所述保護層與所述Zn1-yCdyTe層之間,所述Zn1-yCdyTe層位于所述Zn1-xCdxSe層與所述緩沖層之間,其中,0<y<1。
7.一種太陽能電池的制備方法,其特征在于,所述太陽能電池的制備方法包括如下步驟:
1)提供一襯底層,所述襯底層包括相對的第一表面及第二表面;
2)于所述襯底層的第一表面形成窗口層,所述窗口層的厚度介于40nm~70nm之間,所述窗口層包括增透吸收層、保護層及緩沖層,形成所述窗口層的具體方法為:于所述襯底層的第一表面形成增透吸收層;于所述增透吸收層遠離所述襯底層的表面形成保護層;于所述保護層遠離所述增透吸收層的表面形成緩沖層;
3)于所述緩沖層遠離所述保護層的表面形成光吸收層,之后進行活化退火處理,所述活化退火處理的活化退火溫度介于395℃~400℃之間,所述活化退火處理的活化退火時間介于30min~40min之間;
4)于所述光吸收層遠離所述窗口層的表面形成背電極層;
所述增透吸收層為氧化鎘層,所述保護層為硒化鋅層,所述緩沖層為碲鋅鎘層。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





