[發明專利]在共同襯底上具有不同功函數的非平面I/O和邏輯半導體器件

有效

• 申請號: 201811024602.5
• 申請日: 2013-09-27
• 公開（公告）號: CN108807274B
• 公開（公告）日: 2023-04-28
• 發明（設計）人: R·W·奧拉-沃;W·M·哈菲茲;C-H·簡;P-C·劉
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/84;H01L27/088;H01L27/12;H01L21/336
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 鄔少俊;王英

1.一種集成電路結構，包括：

具有第一鰭狀物的第一P型fin-FET器件，所述第一P型fin-FET器件包括具有第一層的第一柵極電極，所述第一層具有垂直于所述第一鰭狀物的頂部之上的第一厚度；以及

具有第二鰭狀物的第二P型fin-FET器件，所述第二P型fin-FET器件包括具有第二層的第二柵極電極，所述第二層具有與所述第一層相同的成分，所述第二層具有垂直于所述第二鰭狀物的頂部之上的第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度，其中，所述第二P型fin-FET器件的所述第二柵極電極的柵極長度大于所述第一P型fin-FET器件的所述第一柵極電極的柵極長度。

2.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述第一P型fin-FET器件是邏輯晶體管，并且所述第二P型fin-FET器件是I/O晶體管。

3.根據權利要求1所述的集成電路結構，還包括：

位于所述第一鰭狀物與所述第一柵極電極之間的第一柵極電介質；以及

位于所述第二鰭狀物與所述第二柵極電極之間的第二柵極電介質。

4.根據權利要求3所述的集成電路結構，其中，所述第一柵極電介質和所述第二柵極電介質包括鉿和氧。

5.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述第一層和所述第二層包括鋁。

6.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述第一層和所述第二層包括鈦。

7.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述第一層和所述第二層包括金屬碳化物。

8.一種集成電路結構，包括：

具有第一鰭狀物的第一N型fin-FET器件，所述第一N型fin-FET器件包括具有第一金屬層的第一柵極電極，所述第一金屬層具有第一厚度；以及

具有第二鰭狀物的第二N型fin-FET器件，所述第二N型fin-FET器件包括具有第二金屬層的第二柵極電極，所述第二金屬層具有與所述第一金屬層相同的成分，所述第二金屬層具有大于所述第一厚度的第二厚度，其中，所述第二N型fin-FET器件的所述第二柵極電極的柵極長度大于所述第一N型fin-FET器件的所述第一柵極電極的柵極長度。

9.根據權利要求8所述的集成電路結構，其中，所述第一N型fin-FET器件是邏輯晶體管，并且所述第二N型fin-FET器件是I/O晶體管。

10.根據權利要求8所述的集成電路結構，還包括：

位于所述第一鰭狀物與所述第一柵極電極之間的第一柵極電介質；以及

位于所述第二鰭狀物與所述第二柵極電極之間的第二柵極電介質。

11.根據權利要求10所述的集成電路結構，其中，所述第一柵極電介質和所述第二柵極電介質包括鉿和氧。

12.根據權利要求8所述的集成電路結構，其中，所述第一金屬層和所述第二金屬層包括鋁。

13.根據權利要求8所述的集成電路結構，其中，所述第一金屬層和所述第二金屬層包括鈦。

14.根據權利要求8所述的集成電路結構，其中，所述第一金屬層和所述第二金屬層包括金屬碳化物。